半导体工艺发展历史

A. 半导体技术经历的几个阶段

半导体技术主要是来以半导体为材源料，制作成组件及集成电路的技术，它非常重要的发展趋势就是降低成本和能量的消耗，这就要求晶体管微小化，使集成度变高。根据尺度可以，分为两个阶段微电子阶段和纳米电子阶段，刚开始IC都叫微电子技术，因为晶体管的大小是在微米（10-6米）等级；但是根据摩尔定律尺寸一直在减小（大约在 15 年前，半导体开始进入次微米，即小于微米的时代，尔后更有深次微米，比微米小很多的时代。到了 2001 年，晶体管尺寸甚至已经小于 0.1 微米，也就是小于 100 奈米。）现在尺寸达到纳米级别（由于量子尺寸效应，表现出很多特殊性质。）
只是个人观点，请批判接受！

B. 人类半导体发展过程中

先有A/D。
计算机、数字通讯等数字系统是处理数字信号的电路系统。然而，在实际应用中，遇到的大都是连续变化的模拟量，因此，需要一种接口电路将模拟信号转换为数字信号。A/D转换器正是基于这种要求应运而生的。1970年代初，由于MOS工艺的精度还不够高，所以模拟部分一般采用双极工艺，而数字部分则采用MOS工艺，而且模拟部分和数字部分还不能做在同一个芯片上。因此，A/D转换器只能采用多芯片方式实现，成本很高。1975年，一个采用NMOS工艺的10位逐次逼近型A/D转换器成为最早出现的单片A/D转换器。
1976年，出现了分辨率为11位的单片CMOS积分型A/D转换器。此时的单片集成A/D转换器中，数字 部分占主体，模拟部分只起次要作用；而且，此时的MOS工艺相对于双极工艺还存在许多不足。1980年代，出现了采用BiCMOS工艺制作的单片集成A/D转换器，但是工艺复杂，成本高。随着CMOS工艺的不断发展，采用CMOS工艺制作单片A/D转换器已成为主流。这种A/D转换器的成本低、功耗小。1990年代，便携式电子产品的普遍应用要求A/D转换器的功耗尽可能地低。当时的A/D转换器功耗为mW级，而现在已经可以降到μW级。A/D转换器的转换精度和速度也在不断提高，目前，A/D转换器的转换速度已达到数百MSPS，分辨率已经达到24位。

C. 什么是半导体工艺

这个课题太大!因为涉及半导体材料的泛范围太广了!简单地说:以半导体材内料及衍生材料为容主体的各种工艺研发和制造都称为半导体工艺!半导体:顾名思义!就是导电率介于导体和绝缘体之间的金属及非金属材料!常见的硅,锗,都属于此类!

D. 半导体后道工艺是什么意思

半导体前道工序一般指引线匡架(leadframe)加工国内的企业如ASM(冲压片)QPL(蚀刻片)
后工序一般指IC封装,包括贴晶片,焊线,塑封,切筋,测试等工序,国内企业如ASAT,NANGTONG,江苏长电,台湾的有ASE,OSE什么的.
封装就是通常所说的后工序,AMD应该是做后工序,至于和剑做什么的没听说过.
国内的半导体封装企业上海江苏比较多大多是国外/香港/台湾公司的国内工厂.比如Freescale/TJ在天津,Unisem/CN在重庆,LINGSEN好象在江苏那边,LIYUAN也在那边,AMKOR/IFMY/TI是国外比较出名半导体的封装公司.
半导体设备分为前道和后道，前道主要是光刻、刻蚀机、清洗机、离子注入、化学机械平坦等。后道主要有打线、Bonder、FCB、BGA植球、检查、测试等。又分为湿制程和干制程。湿制程主要是由液体参与的流程，如清洗、电镀等。干制程则与之相反，顾名思义是没有液体的流程。其实半导体制程大部分是干制程。国内有做得靠铺的公司吗：不多，但是还是有的。
http://ic.big-bit.com/news/

E. 半导体制造工艺发展的主要指标为特征尺寸和什么

半导体制造工艺发展的最重要指标是产出成品的良率，特征尺寸都是因良率来界定 ，所以主要指标应该有良率。

F. 峨嵋半导体材料厂的发展历程

一、大事记
——1964年10月，根据中共中央关于加强大三线建设的指示精神。冶金工业部于一九六四年十月九日下发（64）冶发基办字1271号文，一九六四年十月十二日下发（65）冶发基办字1305号文“关于坚决保证完成一九六四年迁建任务的紧急通知”。确定北京有色金属研究院三三八室（硅材料研究室）及与之配套的人员、装置和职能管理部门内迁四川峨眉县。定名：“冶金工业部北京有色金属研究院第一研究所”，代号“七三九”。
北京有色金属研究院党委任命常秀山为北京有色金属研究院第一研究所（七三九厂）党总支付书记。任命张积珍为副厂、所长。11月中旬，七三九厂、所第一期工程破土动工。
——1965年5月北京有色金属研究院第二批“三线”建设人员100多人到厂。8月15日多晶硅工序试车成功，产出第一炉多晶硅。10月厂、所全面投产。
——1966年4月第二期工程开工建设。沈阳冶炼厂第一批支援“三线”建设人员到厂。12月厂、所二百多名职工利用业余时间，仅用三个月，建成一栋家属楼。建筑面积1976M 。
——1967年3月氩气氛外热式无位错区熔硅单晶拉制成功。沈阳冶炼厂，葫芦岛锌厂，抚顺301厂，湖南锡矿山等内迁人员和设备到厂。5月4日 第二期工程全面竣工交付使用。
——1968年4月第三期工程（化合物半导体研究室及单晶硅扩建工程）破土动工。12月完成了三氯氢硅还原尾气中氢气回收的小型试验。
——1970年7月15日采用溴化蒸馏法制备出5N高纯硼。8月拉制出第一根砷化镓单晶。
——1971年2月4日多晶硅扩建工程01-3车间竣工交付使用。3月22日中罗双方在北京签订关于中国向罗马尼亚提供成套项目和技术援助的议定书。多晶硅和区熔部分的工艺技术由峨嵋半导体材料厂、所承担。4月Φ35 mm 内热式生产氢气氛无位错区熔硅单晶研制成功。
——1972年5月试制成功Φ40-42.5mm 大直径区熔硅单晶。6月接受援助罗马尼亚的多晶硅和单晶硅生产任务。7月4日根据冶金部要求，为支援七四一厂建设，厂、所第一批三十一名职工调离厂、所奔赴陕西华山半导体材料厂。7月15日：川冶（70）革字第314号文将“七三九厂”改称“峨嵋半导体材料厂”，将“北京有色金属研究院第一研究所”改称“峨嵋半导体材料研究所”。
——1975年2月23日，拉制出Φ55x420mm大直径区熔硅单晶。4月18日拉制出Φ83x200mm、重2.4公斤的直拉无位错硅单晶。7月4日拉制出Φ60x300mm区熔硅单晶，重2.7公斤，达到国内先进水平。12月采用B2O3 熔体覆盖法在国内首先研制出第一根InAs单晶。
——1976年4月研制出区熔大直径（Φ70x150mm）无位错硅单晶。
——1978年5月13日，国务院副总理方毅在四川省委副书记杨超的陪同下，来厂、所视察工作，并亲笔题写“大力发展材料科学”的题词。
——1979年5月首次在国内制备出用作耿氏器件的多层砷化镓外延材料。8－9月全面完成罗马尼亚实习生的培训任务。12月研究出水平掺锡的砷化镓单晶，并成功地用于国防“三三一”工程。
——1980年1月在国内首次研究成功用于MOS集成电路的中子嬗变掺杂硅单晶。5月21日中共中央、国务院、中央军委发来贺电，国防科工委寄来“感谢信”，表扬我厂、所为我国发射洲际导弹作出的贡献。12月“739”牌真空P型、N型高阻区熔硅单晶和超纯镓获部优产品称号。同月成功研制了晶闸管用NTD硅材料。该工艺已推广全国，为我国填补了一项空白。
——1981年1月，硅单晶车间副主任唐均松、工程师梁员庆、钟焕荣、何风池、工人张兆地赴罗马尼亚帮助罗方安装调试设备和试车生产。3月16日 援建罗马尼亚单晶硅厂区熔部分投产，罗方签字验收。
——1982年10月，经两年的努力，厂、所与北京401所、中国计量科学研究院协作研制的硅单晶电阻率标准样片，在昆明由国家计量局主持鉴定。通过鉴定，样片填补了国内空白，达到美国 NBS标准样片的水平。10月16日，中共中央、国务院，中央军委电贺厂、所为运载火箭的研究和发射试验成功所做的贡献。12月7日，国防科工委来信表彰厂、所在我国潜水艇发射运载火箭中所做的贡献。
——1983年8月4 K位大规模集成电路用P型‹100›硅单晶获中国有色金属总公司（部级）科技成果一等奖。12月完成了硅单晶微观缺陷的热氧化—腐蚀检验方法，并由国家标准局颁布为国家标准；
多晶硅真空区熔基硼检验方法、多晶硅断面夹层化学检验方法、测定硅间隙氧含量的红外吸收法、测定硅中代位碳含量的红外吸收法等四种方法由国家标准总局颁布为标准方法。
——1984年4月18日，中共中央、国务院、中央军委发来贺电，国防科工委寄来感谢信，表彰厂、所为试验通信卫星发射成功所做出的贡献。7月8日，N型NTD 单晶硅材料通过中国有色金属工业总公司和核工业部组织的部级科技成果鉴定。10月16日-20日多晶硅学术年会在我厂、所召开。12月10日，中国科学院学部委员、中国科学院北京半导体所副所长林兰英教授来厂、所讲学，并接受聘请为厂、所学术委员会顾问。
——1986年6月26日四川省委书记杨汝岱来厂、所视察。12月27日与四川大学共同承担的“非晶阳光电池研制”项目，通过了由省科委组织的专家鉴定。
——1987年1月19日，厂、所承担的“多晶硅九对棒还原炉的研制”项目，在成都通过了省科委组织的鉴定。6月5日，在国务院环境保护委员会召开的首届“全国环境优美工厂”表彰授奖大会上，我厂、所荣获“全国环境优美工厂”称号，厂、所长曾欣然出席了会议，并领取了奖牌和证书。9月11日厂、所自行设计制造的两台镓单晶炉安装调试完毕，运行正常。
——1988年2月12日厂、所科协举办第一届学术交流年会。6月26日中国有色金属工业总公司安环部会同中科院环境科学委员会在厂、所召开“企业生态工程”课题论证会。中科院马世骏教授和国家科委的单位的四十六名专家出席了会议。与会专家一致通过了课题论证。
——1989年6月10日，我所与中国剂量科学研究院、中国原子能科学研究院共同研制的“硅单晶电阻率标准样片”获国家一级比安装物质证书。
——1990年9月11日，根据总公司党组决定：中国半导体材料（集团）公司筹备组组长、厂、所长李本成率副厂、所长施尚林等十一名同志赴西安开展中国半导体材料（集团）公司筹备工作。10月，厂、所“739牌FZ种子嬗变掺杂硅单晶研磨片”获国家质量奖银质奖章。10月我 厂、所“739牌FZ中子嬗变掺杂硅单晶磨片”获国家银质奖章。10月23-27日，“电子、半导体材料一九九O年学术年会”在我厂、所召开。12月19日，大硅管开发攻关小组成立。
——1991年5月24日厂、所荣获李鹏总理签署的“为北京正负电子对撞机做贡献”荣誉证书。11月厂、所“企业生态工程研究”项目的科研成果通过了中国有色金属工业总公司组织的专家鉴定。
——1997年4月9-11日，国家计委组织国防科工委，财政部，电子部等部委参加的“军工配套项目‘496’工程”调研组来我厂、所考察。5月21日，国家计委以计司科技函（1997）018号文，正式批复我厂、所«年产100吨多晶硅国家重点工业试验性项目立项建议书»，同意立项。9月3，日国家计委以计科技（1997）157号文，批复了100吨年多晶硅项目可行性研究报告。总投资9940万元，其中国家投资1500万元。定2000年6月前完成。
——1998年9月电力器件用NTD-FZ单晶硅及硅片荣获国家级新产品称号。10月厂、所被四川省经贸委确定为“省级企业技术中心”。12月经316小时的运转，自行研制的节能型大还原炉产出国内第一炉Φ115x1500mm 多晶硅棒。炉产达392.2kg。
——2000年1月9日《年产100吨多晶硅工业性试验项目》通过了国家计委组织的鉴定验收。10月25日，国家发展计划委员会以计高技【2000】1419号文，向国务院提交关于审批峨眉半导体材料厂建设年产1000吨多晶硅高技术产业化示范工程项目建议书的请示报告。报告阐述了项目建设的必要性和建设规模、投资及经济效益后，认为拟在峨眉半导体材料厂建设的年产1000吨多晶硅高技术产业化示范工程项目，是利用我国具有自主知识产权的先进技术建设的，项目符合产业政策，立项条件已经具备。建议国务院批准该项目建议书。
——2003年承担国家级科研项目8项：万欧级高阻p型硅单晶研制；“496”工程条件保障建设专用高纯材料研制；高纯材料产业化；SiCl4产业化前期研究开发；高纯锑技术开发研究；“863”计划“高纯四氯化硅（4N）的纯化技术和规模化生产技术；锑化铟多晶材料规模化生产技术研究开发；高纯镓产业化平台技术。
——2004年组织开展了年产200吨太阳能级多晶硅技术改造项目的可行性研究工作。该项目已在2004年12月30日通过专家论证。同年项目建设已启动。
——2005年厂所销售收入首次突破亿元大关。
——2006年6月，在东方电气集团和国务院国有资产监督与管理委员会的支持下，由乐山市人民政府牵线，厂、所完成了国有资产无偿划转到东方气轮机厂，实现了强强联合，为厂、所的跨越式发展奠定了坚实的基础。“东汽”向厂、所注入6亿资金。经过三个月的托管期，10月份整体划转德阳“东方汽轮机厂”，11月变更法人代表。12月28日成为“东方汽轮机投资发展有限公司”下属子公司之一。10月28日东汽峨半年产500吨电路级多晶硅项目举行奠基仪式。
——2007年3月19日东汽峨半1500吨多晶硅项目在乐山五通启动。
——2008年4月29日东汽峨半光伏项目一期120MW工程奠基仪式在峨眉山市电子工业园区举行。9月东汽峨半年产500吨电路级多晶硅项目建成投产。
三、厂所44年生产经营情况统计
1965-2008厂、所主要经济指标表 单位：万元 1965 1966 1967 1968 1969 1970 1971 1972 1973 1974 1975 产值 0 128 274 235 248 467 1426 1379 618 327 513 销售收入 0 205 386 250 329 670 1326 982 420 253 366 1976 1977 1978 1979 1980 1981 1982 1983 1984 1985 1986 产值 654 975 1139 898 521 485 964 1100 1323 1727 128 销售收入 443 839 797 687 389 434 767 872 856 933 618 1987 1988 1989 1990 1991 1992 1993 1994 1995 1996 1997 产值 1678 1702 1710 182 217 272 3195 3135 3472 3604 3733 销售收入 886 1018 1250 1215 1450 1962 4160 2772 3241 3933 3948 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008.8 产值 4038 3366 5867 5596 4989 6315 7182 12290 22228 34273 39946 销售收入 5608 3195 5095 4638 4377 5776 6926 12383 20414 37064 41229

G. 半导体制造工艺是怎样的

http://wenku..com/view/3dadee39580216fc700afd35.html

H. 有关半导体工艺的问题

首先说明一下，半导体中所谓的工艺指得是IC在由设计文件生产成为实体的过程步骤和技术（这是我自己组织的语言，明白是什么意思就成了），比如你所说掺杂、注入、光刻、腐蚀都是现在比较流行也是传统的半导体生产工艺。 而扩展到集成电路上，这个“工艺”一般又多了一层“特征尺寸”的感念，比如人们常说“我这CPU是core2o，用得是45nm的工艺”。当然现在最先进的工艺已经达到了30nm左右，甚至在实验室中有更低的数值得以实现.

至于你说的MOS，CMOS这些东西，我个人认为不能称之为“工艺”，而是电路组成形式。以CMOS为例，它的意思是“互补对称型MOS”，即电路中的基本单元是一个反向器（由一个NMOS和一个PMOS构成），--整个电路都是由这种单元组成，因此它是一种电路组成形式。

工艺和电路组成形式的对应关系是：CMOS为单极型工艺（口头上即称为COMS工艺，所以容易产生你的那种误解），是数字电路的代表；TTL电路形式为双极型工艺（口头上就是双极型），是模拟电路的代表。而前面所说的“掺杂、注入、光刻、腐蚀”多用于单极型工艺，双级型也类似但具体还是有些不同的。

die bond,wire bond则是封装工艺。

如果我去回答面试的那几个问题时，我基本上就从“特征尺寸”和工艺流程上说一下。中国大陆现在能做的最小工艺尺寸就是45nm（如INTEL的大连厂）了，要算上台湾的话，基本能做到世界最先进的水平（TCMC和中芯国际），不过知识产权是不是自己的就不好说了。第三个问题我会反问下考官是是指的电路形式还是工艺流程，因为现在有些企业负责的人自己业务都搞得不怎样，问问题也比较奇怪

I. 半导体制造技术的介绍

《半导体制造抄技术》是2009年电子工袭业出版社出版的图书，作者是(美国)MichaelQuirk。《半导体制造技术》详细追述了半导体发展的历史并吸收了当今最新技术资料，学术界和工业界对《半导体制造技术》的评价都很高。全书共分20章，根据应用于半导体制造的主要技术分类来安排章节，包括与半导体制造相关的基础技术信息；总体流程图的工艺模型概况，用流程图将硅片制造的主要领域连接起来；具体讲解每一个主要工艺；集成电路装配和封装的后部工艺概况。此外，各章为读者提供了关于质量测量和故障排除的问题，这些都是会在硅片制造中遇到的实际问题。