二极管的发展历史

1. 真空管的发展史

引擎运转必须要有燃料，真空管的动作动力为电能。真空管的电极当中，最重要的应属阴极，它负责将电子释放出来，作为一切动作的基本。最早的真空管由于构造及理论简单，直接将灯丝充当阴极使用，换句话说，当灯丝点亮时，由于灯丝温度提高，电子就从灯丝释放出来，经过栅极直奔屏极。这种真空管就叫做“直热式真空管”，这次专题的主角300B，就是属于这类型的真空管，相较于其他现代化的五极真空管，300B的构造简单，性能好，输出功率也低。 灯丝（Filament）可以使用不同的材质制成，由于直热式三极管直接将灯丝当作阴极，因此灯丝的特性直接影响着直热式真空管的性能。基本上，真空管的灯丝主要可分成三种材质构成，第一种当然是耐高温的钨丝。将纯度高的钨丝抽成细丝，卷绕成状在真空管的最内层，通电之后即可发出温度。但钨丝必须加温到两千余度时，电子才能发散，因此以钨丝制成灯丝的真空管点燃时，会发出光辉耀眼的亮度，同时温度高得吓人。别意外，不是真空管要烧掉了，而是它本如此！但将钨丝点亮需要消耗较大的电力，唯一的优点是钨丝甚为耐用，普遍运用于较大功率或长寿命的真空管上。笔者经常听到人说：“那支真空管点起来那么亮，一定两三下就挂点了”。其实并不然，在某些情况下这种真空管的寿命可达数万小时，拿来当作家里的灯泡，既耐用又有装饰的作用，一举数得！
另一种灯丝采用钍钨合金，它只需将灯丝加温至千余度即可工作，相较之下较省电力。最常使用的应为氧化碱土灯丝，它的作法是在灯丝外，涂上一层厚厚的氧化碱土，看起来接近白灰色的物质，它只需要加温至约700度（看起来约暗红色），即可获得足量的电子，因此工作温度最低、也最节省电力，一般而言只须供应6.3V左右的直流，就可以正常工作。
直热式真空管当然有它天生的优点，但却有一个致命的缺点，那就是阴极容易受到灯丝的温度而改变特性。当灯丝电压变动时，或以交流电供应灯丝时，阴极呈现在不稳定的状态下。因此有人主张直热式真空管应采用直流供电，也有人强调必须以交流供电以免损伤阴极，这种争论过去在音响界早已成为一个争论不休的话题。笔者无意在此引起话题，反正各方坚持各有道理，只要听起来没问题，管子耐用好听就行了。如果您有研究上的心得，笔者相当乐于接受。 傍热式真空管的稳定度较高
为了解决直热式真空管的灯丝问题，真空管设计者决定让灯丝与阴极分家独立，在灯丝的旁边套上一圈金属套筒，让灯丝直接对金属板加热，电子从金属板散发出来，这种加热方式就称为“傍热式真空管”。 直热式真空管与傍热式真空管使用上的差异，对于一般使用者而言是不必在乎直热式真空管与傍热式真空管的不同，但对于设计者而言，傍热式真空管由于间接加热的关系，灯丝电流通常较大，而且傍热式的结构必须对阴极金属板加温，因此开机后有一段缓慢的加温期，如果是前级，则必须做好延迟设计，以免开机的脉冲伤了后级。
依据发展的过程来看，最早的真空管当然是直热式的设计，二极管是首先被发展出来的，二极管的功能犹如现在的二极体，具有整流以及收音机内部检波的功能，二极管经过适当的设计，也可以成为稳压管，作用如现在的济纳二极体（Zener Diode）。由于真空管的动作原理很简单，因此第一支真空管被成功的制造出来之后，就有许多科学家加入研发的工作。第一支三极管在1907年被一位美国科学家成功制造，从此便开启了无线电时代的来临，告别留声机，进入扩大机时代。

2. 二极管阵列检测器的发展历史

光电二极管阵列检测器的开发是近10多年内高效液相色谱技术最重要的进步。1975 年Talmi首次报道了二极管阵列系统的使用，后来Yates、Kuwanan和Milano)(35等人对该项技术做了进一步发展。1982 年惠普公司推出世界上第一台商品化二极管阵列检测器HP 1040A（图4-3-14），是根据该公司开发的第一台光电二极管阵列分光光度计技术设计而成的。从此液相色谱分析获得许多重大发展，一次进样可得到更多的信息，数据处理更快，不仅可以克服普通紫外可见吸收检测器的缺点，而且还能获得色谱分离组分的三维光谱色谱图，为分析工作者提供十分丰富的定性定量信息。此后该种检测器又有一些新的改进，获得了更好的波长分辨率和更高的灵敏度。光学多通道检测技术不仅仅可以采用光电二极管阵列做为光电检测元件。硅光导摄像管是首先被应用到液相色谱阵列检测器的光电检测元件，但由于紫外响应弱，成本比光电二极管阵列高，响应慢等缺点而较少应用。电荷耦合阵列检测器（charge-coupied device array detector，CCD检测器）具有很多优异的性能：光谱范围宽、量子效率高、暗电流小、噪声低、线性范围宽等。但CCD检测器的紫外响应弱，信号收率低，有碍它的进一步发展。其它的光电检测元件同样具有以上这些缺点，因此光电二极管成为目前最主要、最常用的光学多通道检测技术的光电检测元件。
现有的光电二极管阵列检测器的制造商主要有：Beckman Instruments Inc（贝克曼仪器公司）、Dionex Corp（戴安公司）、Groton Technology Inc.、Hitachi Instruments Inc.、Hewlett-Packzrd Co.（惠普公司）、Perkin-Elmer Corp.（ 珀金-埃尔默公司）、Shimadzu Scientific Instruments Ins.（ 岛津公司）、Thermo Separation Procts（热电公司）、Varian Znstruments（瓦里安公司）和Waters Corp.（沃特斯公司）。几乎所有的国外主要分析仪器制造商都开发了二极管阵列检测器。二极管阵列检测器的技术发展已比较成熟。

3. 晶体管的发展历程是怎样的

晶体管的发明

4. 二极管发展史，包括前景，哪位大侠知道的，烦请指教！！！！

早在第来一次世界大战末期已出自现晶体检波器。
1930年，半导体整流器投入市场。
1949年W.B.肖克莱建立了PN结理论，为半导体器件奠定了科学基础。
此后随着半导体材料和工艺技术的发展，利用不同的半导体材料、掺杂分布、几何结构，研制出结构种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极管。制造材料有锗、硅及化合物半导体。晶体二极管可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换等。

5. 二极管这个发展史和创造史是什么

电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（Varicap Diode）则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流（Rectifying）”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断 （称为逆向偏压）。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。
一、二极管定义：
二极管（英语：Diode），电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过。许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（Varicap Diode）则用来当作电子式的可调电容器。

二、简介：
大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流（Rectifying）”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断 （称为逆向偏压）。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。然而实际上二极管并不会表现出如此完美的开与关的方向性，而是较为复杂的非线性电子特征——这是由特定类型的二极管技术决定的。二极管使用上除了用做开关的方式之外还有很多其他的功能。早期的二极管包含“猫须晶体（"Cat's Whisker"Crystals）”以及真空管(英国称为“热游离阀（Thermionic Valves）”)。现今最普遍的二极管大多是使用半导体材料如硅或锗。

三、主要特性：
1、正向性

外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。

2、反向性

外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。

3、击穿

内部结构外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被永久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。

4、二极管是一种具有单向导电的二端器件，有电子二极管和晶体二极管之分，电子二极管现已很少见到，比较常见和常用的多是晶体二极管。二极管的单向导电特性，几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。

5、二极管的管压降：硅二极管（不发光类型）正向管压降0.7V，锗管正向管压降为0.3V，发光二极管正向管压降会随不同发光颜色而不同。主要有三种颜色，具体压降参考值如下：红色发光二极管的压降为2.0--2.2V，黄色发光二极管的压降为1.8—2.0V，绿色发光二极管的压降为3.0—3.2V，正常发光时的额定电流约为20mA。

6、二极管的电压与电流不是线性关系，所以在将不同的二极管并联的时候要接相适应的电阻。

7、二极管的特性曲线

与PN结一样，二极管具有单向导电性。硅二极管典型伏安特性曲线。在二极管加有正向电压，当电压值较小时，电流极小；当电压超过0.6V时，电流开始按指数规律增大，通常称此为二极管的开启电压；当电压达到约0.7V时，二极管处于完全导通状态，通常称此电压为二极管的导通电压，用符号UD表示。对于锗二极管，开启电压为0.2V，导通电压UD约为0.3V。在二极管加有反向电压，当电压值较小时，电流极小，其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超过某个值时，电流开始急剧增大，称之为反向击穿，称此电压为二极管的反向击穿电压，用符号UBR表示。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大，从几十伏到几千伏。

6. 晶体管的发展历史是怎样的

50年代美国通抄用电气公司发明的硅晶闸管的问世，标志着电力电子技术的开端。
到了70年代，晶闸管已经派生了快速晶闸管、逆导晶闸管、双向晶闸管、不对称晶闸管等半控型器件
电力电子器件的功率也越来越大，性能日益完善。
但是由于晶闸管的固有特性，工作频率较低(一般低于400hz)，大大限制了它的应用范围，并且由于其固有的特性，比如关断这些器件，必须要有强迫换相电路，使得整体体积增大、重量增加、效率降低以及可靠性下降。
目前，国内生产的电力电子器件仍以晶闸管为主，其中的一些中低档产品业已成熟，并有相当的批量出口
从70年代后期开始，可关断晶闸管(gto)、电力晶体管(gtr或bjt)及其模块相继实用化。
此后各种高频率的全控型器件不断问世，主要有:
电力场控晶体管(即功率mosfet)、绝缘栅极双极晶体管(igt或igbt)、静电感应晶体管(sit)、静电感应晶闸管(sith)等，这些器件的产生和发展，已经形成了一个新型的全控电力电子器件的大家族。
由于全控型器件可以控制开通和关断，大大提高了开关控制的灵活性。

7. 水管的起源与发展

管道，最早起源于中国古代，用于防洪排涝系统。
那么在漫长的人类历史中，早期的水管是什么样的呢？事实上，古人的智慧可以让现代惊叹无数次。你知道下面这个地下排水管是什么时候的吗？
据1979年考古发掘，从北京古城南门门道之下挖出残长5米多的陶制排水管道三条，下面一条，其上再并列铺两条，管道每节长0.35-0.45米不等。经测定距现在约4000年。
2006年在西安市西郊阿房宫遗址附近惊现的战国秦朝时的排水管道！这组陶制排水管道一节58厘米，外表绳纹，一头粗一头细，大头套着小头，东西长达到78米，南北长10米。另外在西边还有一处18米长呈南北走向的排水管道。

通过出土的部分管道来看，此处应该是距今2000多年以前战国秦时期的皇家宫殿建筑的排水管道。

古代排水管道的起源是伴随着城垣的形成与发展而产生的。各种排水管道的出现与发展，与当时的城垣文化有着千丝万缕的关联，同古代文明的进程有着密切的关系。看看下面这个：

这是距今3300多年前的商朝，商王盘庚迁殷之后，社会秩序获得稳定，政治、经济、文化、科技等领域取得重大成就。这就是在安阳殷墟出土的陶制水管，其三通与直接的样式跟当代产品几乎一模一样。
2010年，河南淮阳平粮台古城出土的距今4000多年的陶制排水管道在上海世博会亮相。

中国古代城市排水系统起源甚早，距今4300多年的河南淮阳平粮台古城在南门门道路土之下就发现有铺设的陶质排水管道。这些排水系统不断完善，在一些城市中还发现了水关（水闸）遗址，经过科学考古发掘的有广州南越国时期的水闸遗址、北京金中都的水关遗址和北京元大都的水关遗址。
2012年，重庆宝林博物馆带着近20件藏品走进大渡口区一建筑工地，为工人们做展览。

这是一节保存完好的汉代排水管，长63厘米，一头大一头小，最宽处约20厘米，最窄处15厘米。壁厚约1.5厘米，管壁上还沾着泥土。据介绍，两根排水管相接时，将小的一端插进大的一端，既可以稳固也不会漏水，古代的下水道就是这样一节一节连接起来的。据介绍，如今室外的排水管，也是一端大一端小，沿用了古代的经验，不过为了加固，还会套上胶圈。“从它的粗细，可以推断当时城市的人口。”如果放到现在，可供1000人排水。
2014年，重庆永川区汉东城遗址考古发掘近日验收，这一唐宋古城不仅出土了大量精品瓷器，而且展示出古代重庆十八驿之一的汉东驿的面貌，陶制下水管连通居民家。考古现场负责人代玉彪介绍，古城的主干道宽约3米、用厚度约10厘米的巨石均匀平整砌成，路基由黄色黏土和鹅卵石筑成，民居就临近道路而建。房屋的柱洞、排水沟和墙体的基座等都被完整保留下来。排水沟呈长条形，是用加工规整的石板构筑而车工内，可以尽可能地排水。民居内修建有直径达10余厘米的下水管道，都是用陶土烧制而成，连接后将屋内污水排到屋外的排水沟。代玉彪说，这里的排水系统设计非常科学，保证了位于长江边的这座古城能够经受住暴雨的肆虐。

重庆永川区汉东城遗址发掘出的宋朝时期遗址
2015年8月，施工人员在宜昌市老城改造献福路拆迁工地，意外发现两米多长的一段明清时期城市用陶制排水管。排水管已有两三百年历史，呈竹节状连接。宜昌市档案局原局长孙维玉现场查看后介绍，排水管外纹路叫“纯纹”，是烧制之初刻制，排水管是宜昌善溪窑生产，主要用于古城里大型建筑物的排水。

世界现代管道始于19 世纪中叶。1859 年8 月，美国宾夕法尼亚州打出第一口油井，1863－1865 年试用铸管输送原油，因漏水未能实际应用。到1895 年才生产出质地较好的钢管。1879 年，中国用铸铁管从旅顺市的龙引泉引水供水师营驻军用水，这标志着引进西方供水技术的开始。
不锈钢管在世界上有悠久的历史，早期的主要是厚壁螺纹连接和焊接连接。由于厚壁不锈钢管的成本造价高，虽然卫生、性能优越，但未完全符合节能的社会发展观念，因此引发于一些专家对不锈钢“薄壁”连接的技术研究，最终薄壁不锈钢管最早的连接技产生于1959年瑞典，因为产品应用效果良好，很快就得到推广，随之发展到德国、英国、中国和台湾等地。薄壁不锈钢管连接技术的不断发展，保障了给排水设计所需的技术性能，并克服了厚壁不锈钢管的高价位和螺纹连接的不稳定性。市场需求的自然发展，促进薄壁不锈钢管普及应用，是必然的。
日本
自20世纪60年代中期，薄壁不锈钢在日本首次应用于城市供水和污水处理，至今已成为世所公认的最佳饮用水容器材料"，日本的自来水管道和建筑内给水管道使用不锈钢已经有50年的历史了。
日本东京的自来水供水管道经历了镀锌管──塑料管（PPR）和复合钢管──薄壁不锈钢管的发展历程，1955年以前，普遍使用的是镀锌管，1955-1980年间，塑料管和不同材料的复合钢管广泛应用于建筑物内的水管和部分室外水管，但不论是镀锌管还是塑料管，各种复合管，在长期的使用过程中，由于其材料耐腐蚀性不佳而受到腐蚀、因外力作用（如热胀冷缩、施工破坏等）造成的漏水现象十分普遍。为此，东京供水局经过10多年的调查研究后决定从1980年5月份开始，凡50毫米以下直径的供水管道、管接头、水龙头全部采用不锈钢材质，从而从根本上解决了漏水问题。
美国
美国纽约的供水系统自20世纪60年代起采用不锈钢。纽约市原有的饮水配送系统老化陈旧，无法满足需求，当局在对备选材料进行15年评估的基础上，于1993年在城市输水管道的大口径立柱管和其他管道建设中均大规模地采用了304L不锈钢，其目标是建立一套使用寿命长达100年的系统。华盛顿地区供水管网改造，也采用了不锈钢水管，当局考虑的出发点是整个寿命期的成本，与其他材料相比，不锈钢在整个寿命期内的总成本是最低的。利用不锈钢的耐腐蚀耐磨损长寿命的特点，以期降低管网的维护和更换费用。
意大利
自1995年起，意大利各城市普遍采用一种不挖沟技术，将原输水主管道更换成不锈钢管道。经验表明：不锈钢管道耐腐蚀、强度高，能够耐地面下沉和地震，寿命至少为70年，比塑料管等代用管材更经济。
瑞典
瑞典Karlskoga市经过10年试验，球墨铸铁和PVC埋地供水主管道已经全部换成316不锈钢管道。
英国
英国的医院（苏格兰）过去采用的是铜水管，但苏格兰偏软的水质导致铜水管的腐蚀和失效，政府花费了巨资研究失效的原因和解决方案，现已将冷热水管道由原来的铜水管全部更换成不锈钢水管和接头。
马来西亚
自1997年来马来西亚水务当局与水工业各方合作，起草了供水系统使用不锈钢焊管和不锈钢管件的标准规范。2001年4月，马来西亚水务当局正式颁布相关标准，规定与公共输水主管道相连的水表前后的给水管道只允许使用奥氏体不锈钢焊管。
新加坡
新加坡水务当局正准备将所管辖的给水管更换成不锈钢管，目的是为21世纪的新加坡人民提供可持续的水资源，显著改善水质，提高系统运行可靠性和大大降低运行成本。同时将采用数千吨的不锈钢对现有的污水处理系统进行大规模的更换和改造。该项目将历时20年耗资70亿新元，并由此带来高达几十亿新元的经济效益和良好的社会效益。
其他国家
如加拿大、荷兰等越来越多的国家要求饮用水系统的管道和系统部件必须采用304/304L、316/316L材质的不锈钢，以此作为健康保证的基础。
中国
国内薄壁不锈钢水管是20世纪90年代末才问世的新型管材，由于其具有安全卫生、耐蚀性、坚固耐用、寿命长、免维护、美观等特点，目前不锈钢水管发展势头强劲，已大量应用建筑给水、直饮水和太阳能系统管道。起初，还有部分工程项目设计铜管的，最后一个个改为薄壁不锈钢管。现在，铜管已逐渐退出市场，除了民用家装市场之外，酒店、会馆、楼盘、医院、学校、已经基本普及设计和应用薄壁不锈钢水管。

8. 哪本书可以看晶体二极管的发展历史

还没有一本完整的晶体二极管发展历史完整书籍，因为时间跨度太大，只能从以下介绍分别了专解。
早在第一次世属界大战末期已出现晶体检波器。
1930年，半导体整流器投入市场。
1949年W.B.肖克莱建立了PN结理论，为半导体器件奠定了科学基础。
此后随着半导体材料和工艺技术的发展，利用不同的半导体材料、掺杂分布、几何结构，研制出结构种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极管。制造材料有锗、硅及化合物半导体。
晶体二极管可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换等。供参考。

9. 半导体的发展历程

1947年，美国贝尔实验室发明了半导体点接触式晶体管，从而开创了人类的硅文明时代。
1956年，我国提出“向科学进军”，根据国外发展电子器件的进程，提出了中国也要研究半导体科学，把半导体技术列为国家四大紧急措施之一。中国科学院应用物理所首先举办了半导体器件短期培训班。请回国的半导体专家黄昆、吴锡九、黄敞、林兰英、王守武、成众志等讲授半导体理论、晶体管制造技术和半导体线路。在五所大学――北京大学、复旦大学、吉林大学、厦门大学和南京大学联合在北京大学开办了半导体物理专业，共同培养第一批半导体人才。培养出了第一批著名的教授：北京大学的黄昆、复旦大学的谢希德、吉林大学的高鼎三。1957年毕业的第一批研究生中有中国科学院院士王阳元（北京大学微电子所所长）、工程院院士许居衍（华晶集团中央研究院院长）和电子工业部总工程师俞忠钰（北方华虹设计公司董事长）。
1957年，北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶。中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一所开发锗晶体管。当年，中国相继研制出锗点接触二极管和三极管（即晶体管）。
1958年，美国德州仪器公司和仙童公司各自研制发明了半导体集成电路（IC）之后，发展极为迅猛，从SSI（小规模集成电路）起步，经过MSI（中规模集成电路），发展到LSI（大规模集成电路），然后发展到现在的VLSI（超大规模集成电路）及最近的ULSI（特大规模集成电路），甚至发展到将来的GSI（甚大规模集成电路），届时单片集成电路集成度将超过10亿个元件。
1959年，天津拉制出硅（Si）单晶。
1960年，中科院在北京建立半导体研究所，同年在河北建立工业性专业化研究所――第十三所（河北半导体研究所）。
1962年，天津拉制出砷化镓单晶（GaAs），为研究制备其他化合物半导体打下了基础。
1962年，我国研究制成硅外延工艺，并开始研究采用照相制版，光刻工艺。
1963年，河北省半导体研究所制成硅平面型晶体管。
1964年，河北省半导体研究所研制出硅外延平面型晶体管。
1965年12月，河北半导体研究所召开鉴定会，鉴定了第一批半导体管，并在国内首先鉴定了DTL型（二极管――晶体管逻辑）数字逻辑电路。1966年底，在工厂范围内上海元件五厂鉴定了TTL电路产品。这些小规模双极型数字集成电路主要以与非门为主，还有与非驱动器、与门、或非门、或门、以及与或非电路等。标志着中国已经制成了自己的小规模集成电路。
1968年，组建国营东光电工厂（878厂）、上海无线电十九厂，至1970年建成投产，形成中国IC产业中的“两霸”。
1968年，上海无线电十四厂首家制成PMOS（P型金属－氧化物半导体）电路（MOSIC）。拉开了我国发展MOS电路的序幕，并在七十年代初，永川半导体研究所（现电子第24所）、上无十四厂和北京878厂相继研制成功NMOS电路。之后，又研制成CMOS电路。
七十年代初，IC价高利厚，需求巨大，引起了全国建设IC生产企业的热潮，共有四十多家集成电路工厂建成，四机部所属厂有749厂（永红器材厂）、871（天光集成电路厂）、878（东光电工厂）、4433厂（风光电工厂）和4435厂（韶光电工厂）等。各省市所建厂主要有：上海元件五厂、上无七厂、上无十四厂、上无十九厂、苏州半导体厂、常州半导体厂、北京半导体器件二厂、三厂、五厂、六厂、天津半导体（一）厂、航天部西安691厂等等。
1972年，中国第一块PMOS型LSI电路在四川永川半导体研究所研制成功。

10. 电子管的发展历史

1883年，发明大王托马斯·爱迪生正在为寻找电灯泡最佳灯丝材料，曾做过一个小小的实验。他在真空电灯泡内部碳丝附近安装了一小截铜丝，希望铜丝能阻止碳丝蒸发。但是他失败了，他无意中发现，没有连接在电路里的铜丝，却因接收到碳丝发射的热电子产生了微弱的电流。当时爱迪生正潜心研究城市电力系统，没重视这个现象。但他为这一发现申请了专利，并命名为“爱迪生效应”。
1904年，世界上第一只电子二极管在英国物理学家弗莱明的手下诞生了，这使爱迪生效应具有了实用价值。弗莱明也为此获得了这项发明的专利权。
1906年，美国发明家德福雷斯特（De Forest Lee），在二极管的灯丝和板极之间巧妙地加了一个栅板，从而发明了第一只真空三极管．
1947年，美国物理学家肖克利、巴丁和布拉顿三人合作发明了晶体管——一种三个支点的半导体固体元件．
1904年，世界上第一只电子管在英国物理学家弗莱明的手下诞生了。弗莱明为此获得了这项发明的专利权。人类第一只电子管的诞生，标志着世界从此进入了电子时代。世界上第一台计算机用1.8万只电子管，占地170m*2，重30t，耗电150kW。
说起电子管的发明，我们首先得从“爱迪生效应”谈起。爱迪生这位举世闻名的大发明家，在研究白炽灯的寿命时，在灯泡的碳丝附近焊上一小块金属片。结果，他发现了一个奇怪的现象：金属片虽然没有与灯丝接触，但如果在它们之间加上电压，灯丝就会产生一股电流，趋向附近的金属片。这股神秘的电流是从哪里来的？爱迪生也无法解释，但他不失时机地将这一发明注册了专利，并称之为“爱迪生效应”。后来，有人证明电流的产生是因为炽热的金属能向周围发射电子造成的。但最先预见到这一效应具有实用价值的，则是英国物理学家和电气工程师弗莱明。
弗莱明的二极管是一项崭新的发明．它在实验室中工作得非常好．可是，不知为什么，它在实际用于检波器上却很不成功，还不如同时发明的矿石检波器可靠．因此，对当时无线电的发展没有产生什么冲击．
此后不久，贫困潦倒的美国发明家德福雷斯特，在二极管的灯丝和板极之间巧妙地加了一个栅板，从而发明了第一只真空三极管．这一小小的改动，竟带来了意想不到的结果．它不仅反应更为灵敏、能够发出音乐或声音的振动，而且，集检波、放大和振荡三种功能于一体．因此，许多人都将三极管的发明看作电子工业真正的诞生起点．德福雷斯特自己也非常惊喜，认为“我发现了一个看不见的空中帝国”．电子管的问世，推动了无线电电子学的蓬勃发展．到1960年前后，西方国家的无线电工业年产10亿只无线电电子管．电子管除应用于电话放大器、海上和空中通讯外，也广泛渗透到家庭娱乐领域，将新闻、教育节目、文艺和音乐播送到千家万户．就连飞机、雷达、火箭的发明和进一步发展，也有电子管的一臂之力．
三条腿的魔术师电子管在电子学研究中曾是得心应手的工具．电子管器件历时40余年一直在电子技术领域里占据统治地位．但是，不可否认，电子管十分笨重，能耗大、寿命短、噪声大，制造工艺也十分复杂．因此，电子管问世不久，人们就在努力寻找新的电子器件．第二次世界大战中，电子管的缺点更加暴露无遗．在雷达工作频段上使用的普通的电子管，效果极不稳定．移动式的军用器械和设备上使用的电子管更加笨拙，易出故障．因此，电子管本身固有的弱点和迫切的战时需要，都促使许多科研单位和广大科学家，集中精力，迅速研制成功能取代电子管的固体元器件．
电子管的替代产品叫晶体管。
随着科技的发展，人们对生产的机械在体积上向体积越来越小的方向发展，由于电子管的体积大，而且在移动过程中容易损坏，越来越多的表现出其的弊端，于是人们开始寻找和开发电子管的可替代产品．随着后来的晶体管的出现，已越来越多的机械不再使用电子管．晶体管的出现是人类在电子方面一个大的飞跃．
早在30年代，人们已经尝试着制造固体电子元件．但是，当时人们多数是直接用模仿制造真空三极管的方法来制造固体三极管．因此这些尝试毫无例外都失败了．