中國歷史的晶體管技術

『壹』 截至目前中國的晶體管技術達到什麼級別了

根據國際半導體協會的不完全統計，中國技術已達12吋晶圓和20nm，封測技術也是達到世界要求;但半導體供應鏈不是以這些指標來決定。謹供參考!

『貳』 晶體管的歷史

1947年12月，美國貝爾實驗室的肖克利、巴丁和布拉頓組成的研究小組，研製出一種點接觸型的鍺晶體管。晶體管的問世，是20世紀的一項重大發明，是微電子革命的先聲。晶體管出現後，人們就能用一個小巧的、消耗功率低的電子器件，來代替體積大、功率消耗大的電子管了。晶體管的發明又為後來集成電路的誕生吹響了號角。20世紀最初的10年，通信系統已開始應用半導體材料。20世紀上半葉，在無線電愛好者中廣泛流行的礦石收音機，就採用礦石這種半導體材料進行檢波。半導體的電學特性也在電話系統中得到了應用。
晶體管的發明，最早可以追溯到1929年，當時工程師利蓮費爾德就已經取得一種晶體管的專利。但是，限於當時的技術水平，製造這種器件的材料達不到足夠的純度，而使這種晶體管無法製造出來。
由於電子管處理高頻信號的效果不理想，人們就設法改進礦石收音機中所用的礦石觸須式檢波器。在這種檢波器里，有一根與礦石（半導體）表面相接觸的金屬絲（像頭發一樣細且能形成檢波接點），它既能讓信號電流沿一個方向流動，又能阻止信號電流朝相反方向流動。在第二次世界大戰爆發前夕，貝爾實驗室在尋找比早期使用的方鉛礦晶體性能更好的檢波材料時，發現摻有某種極微量雜質的鍺晶體的性能不僅優於礦石晶體，而且在某些方面比電子管整流器還要好。
在第二次世界大戰期間，不少實驗室在有關硅和鍺材料的製造和理論研究方面，也取得了不少成績，這就為晶體管的發明奠定了基礎。
為了克服電子管的局限性，第二次世界大戰結束後，貝爾實驗室加緊了對固體電子器件的基礎研究。肖克萊等人決定集中研究硅、鍺等半導體材料，探討用半導體材料製作放大器件的可能性。
1945年秋天，貝爾實驗室成立了以肖克萊為首的半導體研究小組，成員有布拉頓、巴丁等人。布拉頓早在1929年就開始在這個實驗室工作，長期從事半導體的研究，積累了豐富的經驗。他們經過一系列的實驗和觀察，逐步認識到半導體中電流放大效應產生的原因。布拉頓發現，在鍺片的底面接上電極，在另一面插上細針並通上電流，然後讓另一根細針盡量靠近它，並通上微弱的電流，這樣就會使原來的電流產生很大的變化。微弱電流少量的變化，會對另外的電流產生很大的影響，這就是「放大」作用。
布拉頓等人，還想出有效的辦法，來實現這種放大效應。他們在發射極和基極之間輸入一個弱信號，在集電極和基極之間的輸出端，就放大為一個強信號了。在現代電子產品中，上述晶體三極體的放大效應得到廣泛的應用。
巴丁和布拉頓最初製成的固體器件的放大倍數為50左右。不久之後，他們利用兩個靠得很近(相距0.05毫米)的觸須接點，來代替金箔接點，製造了「點接觸型晶體管」。1947年12月，這個世界上最早的實用半導體器件終於問世了，在首次試驗時，它能把音頻信號放大100倍，它的外形比火柴棍短，但要粗一些。
在為這種器件命名時，布拉頓想到它的電阻變換特性，即它是靠一種從「低電阻輸入」到「高電阻輸出」的轉移電流來工作的，於是取名為trans-resistor(轉換電阻)，後來縮寫為transistor，中文譯名就是晶體管。
由於點接觸型晶體管製造工藝復雜，致使許多產品出現故障，它還存在雜訊大、在功率大時難於控制、適用范圍窄等缺點。為了克服這些缺點，肖克萊提出了用一種「整流結」來代替金屬半導體接點的大膽設想。半導體研究小組又提出了這種半導體器件的工作原理。
1950年，第一隻「PN結型晶體管」問世了，它的性能與肖克萊原來設想的完全一致。今天的晶體管，大部分仍是這種PN結型晶體管。(所謂PN結就是P型和N型的結合處。P型多空穴。N型多電子。)
1956年，肖克利、巴丁、布拉頓三人，因發明晶體管同時榮獲諾貝爾物理學獎。

『叄』 晶體管誰發明的

晶體管發明者——巴丁
1947年12月23日，37歲的美國物理學家肖克萊和他的合作者在著名的貝爾實驗室向人們展示了第一個半導體電子增幅器，即最初的晶體管．晶體管的發明成為人類微電子革命的先聲． 如果時光倒流幾十年，晶體管還沒有被發明，那麼今天的人們大概還在使用電子管收音機．這種收音機普遍使用五六個電子管，輸出功率只有1瓦左右，而耗電卻要四五十瓦，功能也很有限．打開電源開關，要等1分多鍾才會慢慢地響起來．而現在，袖珍半導體收音機早就成了青少年的隨身物了．我們在使用現代科技產品時，真應該對這些產品的發明者心存謝意．你知道晶體管是誰發明的嗎？它是美國物理學家肖克萊和他的同事巴丁及布拉頓一同發明的．這項影響深遠的發明，讓他們共同獲得了1956年度諾貝爾物理學獎．1947年聖誕節前夕，37歲的物理學家肖克萊寫了一張言辭有些羞怯的便柬，邀請美國新澤西州中部貝爾電話實驗室的幾位同僚到他的實驗室，觀察他和他的合作者巴丁及布拉頓最近取得的「一些成果」．這三位發明家演示了電流通過一個名為「晶體管」的小原器件．盡管用現代標准衡量，這個原器件原始且笨拙，但它在當時卻是一個舉世震驚的突破．因為真空管——最初的電子增幅器，雖然加快了無線電、電話、電視機等的發展，但是這種真空管體積大、耗能多，拖了發展復雜電子機器的後腿．電子機械師們早就期待著一種可靠、小型而又便宜的替代裝置了． 晶體管的發明，終於使由玻璃封裝的、易碎的真空管有了替代物．同真空管相同的是，晶體管能放大微弱的電子信號；不同的是，它廉價、耐久、耗能小，並且幾乎能夠被製成無限小．1999年9月，法國原子能委員會的科學有研製出當今世界上最小的晶體管，這種晶體管直徑僅20納米(1納米為1米的10億分之一)，科學家須用電子顯微鏡把它放大50萬倍，方能取得它1厘米大的照片．把20納米的晶體管放進一片普通集成電路，形同一根頭發放在足球場的中央．——同工作中能產生巨大熱量的真空管相反，晶體管能在冷卻狀態下工作．因為它採用了半導體——一種處於絕緣體(如玻璃)與良導體(如鐵和金)之間的固態導體．肖克萊等人的成功，取決於他們確定了合適的使用材料(開始是金屬元素鍺，然後是硅)，用這種材料，只需很少量，晶體管就能像真空管一樣，對電子產生相同的作用．在帶有正、負電荷的接頭或障礙物兩側就可得「晶體管效應」；障礙物的作用因來自第三方的微小電流的使用而明顯地減弱．這個結果就像擰開了開關、使巨大電流通過障礙物，把第三方的信號放大到4萬倍． 晶體管誕生後，首先在電話設備和助聽器中使用．逐漸地，它在任何有插座或電池的東西中都能發揮作用了．將微型晶體管蝕刻在矽片上製成的集成電路，在20世紀50年代發展起來後，以晶元為主的電腦很快就進入了人們的辦公室和家庭．

『肆』 晶體管的發明者及其故事

收錄機、電視機，還有電腦，這些現代人不可缺少的電子產品，都和美國人巴丁的名字連在一起，因為巴丁發明了晶體管，才使這些電子產品的出現有了可能。

巴丁(1908— )生於美國，少年時代就很用功，16歲考上大學，特別喜歡物理。早年他和另外兩名科學家肖克萊和布拉坦一起，共同研究半導體鍺和硅的物理性質。在一次實驗中，他在鍺晶體上放置了一枚固定針和一枚探針，利用加上負電壓的探針來檢查固定針附近的電位分布。當巴丁將探針向固定針靠近到0.05毫米處時，突然發現，改變流過探針的電流能極大地影響流過固定針的電流。這一意外的發現，使他們意識到這個裝置可以起放大作用。於是三人通力合作，經過反復研製，終於在1947年發明了一種新的半導體器件，這就是晶體管。這一成果立刻轟動了電子學界，巴丁等被稱為電子技術革命的傑出代表。由於這一貢獻, 巴丁和肖克萊、布拉克一起獲得了1956年度諾貝爾物理學獎。

在獲獎的那一年，巴丁又開始向另一個科學高峰——超導理論攀登。超導現象是指一些導體的電阻在溫度下降接近絕對零度時會突然消失，成為沒有電阻的超導體。當時，超導現象是科學上的難題，巴丁與中年教師庫柏、研究生施里弗共同攻關。經過多年探索，終於建立了超導理論。為了紀念他們三人的傑出貢獻，後來稱超導理論為BCS理論(由三人姓名的第一個字母組成)，他們三人又共同獲得1972年度諾貝爾物理學獎。三人合作搞科研還被科學界稱為老中青三代各獻所長共同合作的典範。巴丁在同一領域(固體物理)前後兩次獲得諾貝爾獎，這在歷史上還是第一次。

晶體管發明者——巴丁
1947年12月23日，37歲的美國物理學家肖克萊和他的合作者在著名的貝爾實驗室向人們展示了第一個半導體電子增幅器，即最初的晶體管．晶體管的發明成為人類微電子革命的先聲．
如果時光倒流幾十年，晶體管還沒有被發明，那麼今天的人們大概還在使用電子管收音機．這種收音機普遍使用五六個電子管，輸出功率只有1瓦左右，而耗電卻要四五十瓦，功能也很有限．打開電源開關，要等1分多鍾才會慢慢地響起來．而現在，袖珍半導體收音機早就成了青少年的隨身物了．我們在使用現代科技產品時，真應該對這些產品的發明者心存謝意．

你知道晶體管是誰發明的嗎？它是美國物理學家肖克萊和他的同事巴丁及布拉頓一同發明的．這項影響深遠的發明，讓他們共同獲得了1956年度諾貝爾物理學獎．

1947年聖誕節前夕，37歲的物理學家肖克萊寫了一張言辭有些羞怯的便柬，邀請美國新澤西州中部貝爾電話實驗室的幾位同僚到他的實驗室，觀察他和他的合作者巴丁及布拉頓最近取得的「一些成果」．這三位發明家演示了電流通過一個名為「晶體管」的小原器件．盡管用現代標准衡量，這個原器件原始且笨拙，但它在當時卻是一個舉世震驚的突破．因為真空管——最初的電子增幅器，雖然加快了無線電、電話、電視機等的發展，但是這種真空管體積大、耗能多，拖了發展復雜電子機器的後腿．電子機械師們早就期待著一種可靠、小型而又便宜的替代裝置了．

晶體管的發明，終於使由玻璃封裝的、易碎的真空管有了替代物．同真空管相同的是，晶體管能放大微弱的電子信號；不同的是，它廉價、耐久、耗能小，並且幾乎能夠被製成無限小．1999年9月，法國原子能委員會的科學有研製出當今世界上最小的晶體管，這種晶體管直徑僅20納米(1納米為1米的10億分之一)，科學家須用電子顯微鏡把它放大50萬倍，方能取得它1厘米大的照片．把20納米的晶體管放進一片普通集成電路，形同一根頭發放在足球場的中央．——同工作中能產生巨大熱量的真空管相反，晶體管能在冷卻狀態下工作．因為它採用了半導體——一種處於絕緣體(如玻璃)與良導體(如鐵和金)之間的固態導體．肖克萊等人的成功，取決於他們確定了合適的使用材料(開始是金屬元素鍺，然後是硅)，用這種材料，只需很少量，晶體管就能像真空管一樣，對電子產生相同的作用．在帶有正、負電荷的接頭或障礙物兩側就可得「晶體管效應」；障礙物的作用因來自第三方的微小電流的使用而明顯地減弱．這個結果就像擰開了開關、使巨大電流通過障礙物，把第三方的信號放大到4萬倍．

晶體管誕生後，首先在電話設備和助聽器中使用．逐漸地，它在任何有插座或電池的東西中都能發揮作用了．將微型晶體管蝕刻在矽片上製成的集成電路，在20世紀50年代發展起來後，以晶元為主的電腦很快就進入了人們的辦公室和家庭．

『伍』 晶體管的歷史事件

2010年早些時候，三星公司曾宣布完成了30nm製程2Gb密度DDR3內存晶元的開發工作，而最近（7月）他們則宣布這款晶元產品已經進入批量生產階段。
據Intel工程師透露，首款採用22nm製程的CPU預計將在2011年出現。在2009年2月，Intel發布了新一代採用32nm製程的Westmere核心處理器，也就是第二代Nehalem架構處理器。而到了2010年全新的Sandy Bridge核心將在32nm製程工藝的幫助下實現8核心的設計。
2007年11月，英特爾共發布了16款Penryn處理器，主要面向伺服器和高端PC。這些產品採用了更先進的45納米生產工藝，其中最復雜的一款擁有8.2億個晶體管。英特爾上一代產品主要採用65納米生產工藝，最復雜的一款處理器擁有5.82億個晶體管。
IBM將於12月在舊金山國際電子設備大會上介紹新晶體管設計方案的詳細內容，並於2005～2006年投入生產，其210GHz晶體管已於2001年6月推出，相關晶元在2003年末或2004年初上市。
專家認為每個晶體管最低價格底線出現在2003～2005年，從經濟觀點看，沒有必要把晶體管做得更小了。
到2005年，晶元所含晶體管數將高達幾十億只，頻率也將高達幾千兆赫。
預計在2005年將推出採用全新的TeraHertz晶體管架構的產品。
到2005年晶元上集成2億個晶體管時就會熱得像「核反應堆」進入2010年時晶元的溫度就會達到火箭發射時高溫氣體噴嘴的溫度水平，而到2015年晶元就會與太陽的表面一樣灼熱。
預計至2004年，Intel將可推出在新的直徑為300毫米（約12英寸）的晶圓片（晶圓片尺寸一般十年翻一番）上能夠刻出容納5億個晶體管的晶元。
例如，2004年投入應用的90nm藝，其中半節距為90nm，而晶體管的物理柵長為37nm
2004年業界已採用超薄SOI晶圓推出0.1μm1億個晶體管的高速CMOS電路。
2003年使用的90nm工藝又有了一些變化，同樣除了線長和門長度的縮短以外，應變硅 Strainedsi）被首次引入了晶體管中以解決晶 體管內部電流通路問題。
據統計，2003年單位晶元的晶體管數目與1963年相比增加了10億倍。
Barton：在2002年下半年，AMD將會發布應用SOI（硅連接）晶體管結構的Barton內核處理器。
2002年9月15日在美國矽谷舉辦的微處理器論壇上，世界晶元業霸主、美國英特爾公司表示，該公司將在2007年推出集成10億個晶體管和運行速度高達6GHz電腦晶元，讓世界晶元進入10億晶體管時代，同時證明摩爾定律這棵發明理論之樹常青。
2002年5月，IBM開發出速度遠超過現在最先進的硅晶體管的碳納米晶體管，實用化進程再次加速。
而在2001年年底到2002年年初的這段時間里，英特爾公司的產品線將全部轉移到0.13微米封裝工藝，所採用的晶體管製造技術為70納米。
2001年9月25日，投資金額14．8億美元的中芯國際集成電路製造（上海）有限公司，在上海張江高新科技園區舉行了「中芯第一芯」投產慶典，慶祝第一片8英寸、0．25微米以下線寬（指晶元上晶體管之間的距離，越短則同一個晶元上可排列的晶體管越多，技術水平越高）的晶元上線生產。
2001年，貝爾實驗室發明了世界上第一個分子級晶體管，從而成為繼1947年發明，標志著通信和技術新時代到來的晶體管之後的又一個科學里程碑。
2001年7月18日，青島晶體管實驗所開島城科研院所改制之先河：130名職工出資100萬元將其買斷，斯時，這個實驗所在國有體制下經營了35年。
2001年6月，IBM宣布單個硅鍺晶體管的工作頻率達到210GHz，工作電流1mA，比上一代硅鍺晶體管速度提高了80%，功耗降低了50%。
2001年，Avouris等人利用此法製造成功了世界上第一列碳納米管晶體管1451。
2001年4月，IBM公司宣布世界上第一個碳納米材料晶體管陣列，從而使「分子計算機」的理想開始走向現實。
2000年英特爾公司推出「奔騰4」處理器，運行速度高達1.5GHz，集成的晶體管數量高達4200萬，每秒運算量高達15億次。
2000年 11月，容納4200萬個晶體管的奔騰4處理器的誕生，其卓越的創新使處理器技術跨入了第7代。
2000年 12月，英特爾公司率先在業界開發出柵極長度為30nm的單晶體管；2001年6月，英特爾又將這一紀錄提高到20nm；同年 11月 26日，英特爾宣布已開發出柵極長度僅為15nm的新型晶體管，同時單個晶體管的實際工作頻率已經能達到2．63THz。
到了2000年，每個設計工程師進行新設計時的生產率為2683個晶體管/周，而採用IP進行設計其生產率約為30000個晶體管/周，效率提高非常明顯，可以說IP重用是重要的生產力要素。
同時，毫米波功率晶體管可能在2000年前後轉到小批量的試制生產。
預計到2000年左右，全球將有1GDRAM和可包含500億只晶體管的單片系統問。
2000年初，美國貝爾實驗室開發出50 nm向晶體管，該晶體管建在晶元表面，電流垂直流動，在晶體管的兩個相對的面各有一個門，從而提高了運算速度。
例如，2000年中國從馬來西亞進口的28.8億美元的機電產品中，一半以上是顯像管、晶體管和集成電路。
1999年初 全國各高空台站開始使用晶體管回答器。
1998年，國際商用機器公司托馬斯·沃特森研究中心的費宗·阿武里斯和荷蘭德爾夫特科技大學的塞斯·德克爾證實，單個碳納米管具有晶體管功用。
自從1998年碳納米管應用於製作室溫下場效應 晶體管以來，對碳納米管製作納米尺度的分子器件的研究得到了長足的發展。
據1998年2月26日《科技日報》的報導，美國桑迪亞國家實驗室根據量子物理的基本原理製造出量子晶體管樣管，較好地解決了批量生產的工藝問題。
1998年3月 英特爾公司製成包含 7 0 2億個晶體管的集成電路晶元 這表明集成度這一微電子技術的重要指標 在不到 40年內便提高了7000萬倍。
1997年，包含750萬個晶體管的奔騰 處理器面世。
1997年，Intel推出了包含750萬個晶體管的奔騰 處理器，這款新產品集成了IntelMMX媒體增強技術，專門為高效處理視頻、音頻和圖形數據而設計。
在1997年，每個設計工程師進行新設計時的生產率為1100個晶體管/周，而採用IP模塊進行設計的生產率為2100個晶體管/周。
我們試制了具有較高輸入阻抗的晶體管放大器，1997年7月29日在主站端試用，結果激活了至周浜站的通道，連續數天的通信不中斷。
微處理器技術另一個突破是晶元製造技術的革新，IBM於1997年9月22日宣布了用銅代替鋁製造晶體管的新工藝，使電子線路體積更小，從而速度更快，效能更高。
1997年9月IBM公司宣布研製成功種銅鶩代鋁製作晶體管的新生產工藝。
自1997年起經過各廠家、用戶等有關部門的共同努力，目前全國絕大部分省局已經使用晶體管回答器。
1995年底開鮮的晶體管構造計劃，於1996年6月，第一批產靛經測試是非常成功的。
1995年該廠上了兩台單倉式晶體管高壓靜電除塵器，用在成品兩檯球磨機上。
1995年11月9日首先對其中一台晶體管勵磁裝置進行改造。
如索尼公司1995年掌握了晶體管方面的核心專長，生產出第一代晶體管收音機，體積小，每台標價僅29.95美元，做到了價廉物美，迅速佔領了世界市場。
1994年初美國LSI公司研製成功集成度達900萬個晶體管的邏輯晶元，0.5μm3V
日本松下公司最早用SMT製作10nm質量硅量子線，1994年在瑞士召開的國際納米工程會議上，首次展示用STM探針製作的晶體管單元電路。
磁敏三極體
磁敏三極體由鍺材料或硅材料製成。圖是磁敏三極體的結構圖。它是在高阻半導體材料i上製成N+-i－N+結構，在發射區的一側用噴砂等方法破壞一層晶格，形成載流子高復合區r。元件採用平板結構，發射區和集電區設置在它的上、下表面。

『陸』 為什麼說晶體管的發明為信息處理奠定了物質基礎

1947年12月，美國貝爾實驗室的肖克萊、巴丁和布拉頓組成的研究小組，研製出一種點接觸型的鍺晶體管。晶體管的問世，是20世紀的一項重大發明，是微電子革命的先聲。晶體管出現後，人們就能用一個小巧的、消耗功率低的電子器件，來代替體積大、功率消耗大的電子管了。晶體管的發明又為後來集成電路的降生吹響了號角。
20世紀最初的10年，通信系統已開始應用半導體材料。20世紀上半葉，在無線電愛好者中廣泛流行的礦石收音機，就採用礦石這種半導體材料進行檢波。半導體的電學特性也在電話系統中得到了應用。
晶體管的發明，最早可以追溯到1929年，當時工程師利蓮費爾德就已經取得一種晶體管的專利。但是，限於當時的技術水平，製造這種器件的材料達不到足夠的純度，而使這種晶體管無法製造出來。
由於電子管處理高頻信號的效果不理想，人們就設法改進礦石收音機中所用的礦石觸須式檢波器。在這種檢波器里，有一根與礦石（半導體）表面相接觸的金屬絲（像頭發一樣細且能形成檢波接點），它既能讓信號電流沿一個方向流動，又能阻止信號電流朝相反方向流動。在第二次世界大戰爆發前夕，貝爾實驗室在尋找比早期使用的方鉛礦晶體性能更好的檢波材料時，發現摻有某種極微量雜質的鍺晶體的性能不僅優於礦石晶體，而且在某些方面比電子管整流器還要好。
在第二次世界大戰期間，不少實驗室在有關硅和鍺材料的製造和理論研究方面，也取得了不少成績，這就為晶體管的發明奠定了基礎。
為了克服電子管的局限性，第二次世界大戰結束後，貝爾實驗室加緊了對固體電子器件的基礎研究。肖克萊等人決定集中研究硅、鍺等半導體材料，探討用半導體材料製作放大器件的可能性。
1945年秋天，貝爾實驗室成立了以肖克萊為首的半導體研究小組，成員有布拉頓、巴丁等人。布拉頓早在1929年就開始在這個實驗室工作，長期從事半導體的研究，積累了豐富的經驗。他們經過一系列的實驗和觀察，逐步認識到半導體中電流放大效應產生的原因。布拉頓發現，在鍺片的底面接上電極，在另一面插上細針並通上電流，然後讓另一根細針盡量靠近它，並通上微弱的電流，這樣就會使原來的電流產生很大的變化。微弱電流少量的變化，會對另外的電流產生很大的影響，這就是「放大」作用。
布拉頓等人，還想出有效的辦法，來實現這種放大效應。他們在發射極和基極之間輸入一個弱信號，在集電極和基極之間的輸出端，就放大為一個強信號了。在現代電子產品中，上述晶體三極體的放大效應得到廣泛的應用。
巴丁和布拉頓最初製成的固體器件的放大倍數為50左右。不久之後，他們利用兩個靠得很近(相距0.05毫米)的觸須接點，來代替金箔接點，製造了「點接觸型晶體管」。1947年12月，這個世界上最早的實用半導體器件終於問世了，在首次試驗時，它能把音頻信號放大100倍，它的外形比火柴棍短，但要粗一些。
在為這種器件命名時，布拉頓想到它的電阻變換特性，即它是靠一種從「低電阻輸入」到「高電阻輸出」的轉移電流來工作的，於是取名為trans-resister(轉換電阻)，後來縮寫為transister，中文譯名就是晶體管。
由於點接觸型晶體管製造工藝復雜，致使許多產品出現故障，它還存在雜訊大、在功率大時難於控制、適用范圍窄等缺點。為了克服這些缺點，肖克萊提出了用一種"整流結"來代替金屬半導體接點的大膽設想。半導體研究小組又提出了這種半導體器件的工作原理。
1950年，第一隻「面結型晶體管」問世了，它的性能與肖克萊原來設想的完全一致。今天的晶體管，大部分仍是這種面結型晶體管。
1956年，肖克萊、巴丁、布拉頓三人，因發明晶體管同時榮獲諾貝爾物理學獎。 [編輯本段]【晶體管的發展歷史及其重要里程碑】1947年12月16日：威廉·邵克雷（William Shockley）、約翰·巴頓（John Bardeen）和沃特·布拉頓（Walter Brattain）成功地在貝爾實驗室製造出第一個晶體管。
1950年：威廉·邵克雷開發出雙極晶體管（Bipolar Junction Transistor），這是現在通行的標準的晶體管。
1953年：第一個採用晶體管的商業化設備投入市場，即助聽器。
1954年10月18日：第一台晶體管收音機Regency TR1投入市場，僅包含4隻鍺晶體管。
1961年4月25日：第一個集成電路專利被授予羅伯特·諾伊斯（Robert Noyce）。最初的晶體管對收音機和電話而言已經足夠，但是新的電子設備要求規格更小的晶體管，即集成電路。
1965年：摩爾定律誕生。當時，戈登·摩爾（Gordon Moore）預測，未來一個晶元上的晶體管數量大約每年翻一倍(10年後修正為每兩年)，摩爾定律在Electronics Magazine雜志一篇文章中公布。
1968年7月：羅伯特·諾伊斯和戈登·摩爾從仙童（Fairchild）半導體公司辭職，創立了一個新的企業，即英特爾公司，英文名Intel為「集成電子設備（integrated electronics）」的縮寫。
1969年：英特爾成功開發出第一個PMOS硅柵晶體管技術。這些晶體管繼續使用傳統的二氧化硅柵介質，但是引入了新的多晶硅柵電極。
1971年：英特爾發布了其第一個微處理器4004。4004規格為1/8英寸 x 1/16英寸，包含僅2000多個晶體管，採用英特爾10微米PMOS技術生產。
1978年：英特爾標志性地把英特爾8088微處理器銷售給IBM新的個人電腦事業部，武裝了IBM新產品IBM PC的中樞大腦。16位8088處理器含有2.9萬個晶體管，運行頻率為5MHz、8MHz和10MHz。8088的成功推動英特爾進入了財富(Forture) 500強企業排名，《財富(Forture)》雜志將英特爾公司評為「七十大商業奇跡之一（Business Triumphs of the Seventies）」。
1982年：286微處理器(又稱80286)推出，成為英特爾的第一個16位處理器，可運行為英特爾前一代產品所編寫的所有軟體。286處理器使用了13400個晶體管，運行頻率為6MHz、8MHz、10MHz和12.5MHz。
1985年：英特爾386??微處理器問世，含有27.5萬個晶體管，是最初4004晶體管數量的100多倍。386是32位晶元，具備多任務處理能力，即它可在同一時間運行多個程序。
1993年：英特爾·奔騰·處理器問世，含有3百萬個晶體管，採用英特爾0.8微米製程技術生產。
1999年2月：英特爾發布了奔騰·III處理器。奔騰III是1x1正方形硅，含有950萬個晶體管，採用英特爾0.25微米製程技術生產。
2002年1月：英特爾奔騰4處理器推出，高性能桌面台式電腦由此可實現每秒鍾22億個周期運算。它採用英特爾0.13微米製程技術生產，含有5500萬個晶體管。
2002年8月13日：英特爾透露了90納米製程技術的若干技術突破，包括高性能、低功耗晶體管，應變硅，高速銅質接頭和新型低-k介質材料。這是業內首次在生產中採用應變硅。
2003年3月12日：針對筆記本的英特爾·迅馳·移動技術平台誕生，包括了英特爾最新的移動處理器「英特爾奔騰M處理器」。該處理器基於全新的移動優化微體系架構，採用英特爾0.13微米製程技術生產，包含7700萬個晶體管。
2005年5月26日：英特爾第一個主流雙核處理器「英特爾奔騰D處理器」誕生，含有2.3億個晶體管，採用英特爾領先的90納米製程技術生產。
2006年7月18日：英特爾®安騰®2雙核處理器發布，採用世界最復雜的產品設計，含有17.2億個晶體管。該處理器採用英特爾90納米製程技術生產。
2006年7月27日：英特爾·酷睿??2雙核處理器誕生。該處理器含有2.9億多個晶體管，採用英特爾65納米製程技術在世界最先進的幾個實驗室生產。
2006年9月26日：英特爾宣布，超過15種45納米製程產品正在開發，面向台式機、筆記本和企業級計算市場，研發代碼Penryn，是從英特爾®酷睿??微體系架構派生而出。
2007年1月8日：為擴大四核PC向主流買家的銷售，英特爾發布了針對桌面電腦的65納米製程英特爾·酷睿??2四核處理器和另外兩款四核伺服器處理器。英特爾·酷睿??2四核處理器含有5.8億多個晶體管。
2007年1月29日：英特爾公布採用突破性的晶體管材料即高-k柵介質和金屬柵極。英特爾將採用這些材料在公司下一代處理器——英特爾®酷睿??2雙核、英特爾®酷睿??2四核處理器以及英特爾®至強®系列多核處理器的數以億計的45納米晶體管或微小開關中用來構建絕緣「牆」和開關「門」，研發代碼Penryn。採用了這些先進的晶體管，已經生產出了英特爾45納米微處理器。

『柒』 晶體管的發展歷史是怎樣的

50年代美國通抄用電氣公司發明的硅晶閘管的問世，標志著電力電子技術的開端。
到了70年代，晶閘管已經派生了快速晶閘管、逆導晶閘管、雙向晶閘管、不對稱晶閘管等半控型器件
電力電子器件的功率也越來越大，性能日益完善。
但是由於晶閘管的固有特性，工作頻率較低(一般低於400hz)，大大限制了它的應用范圍，並且由於其固有的特性，比如關斷這些器件，必須要有強迫換相電路，使得整體體積增大、重量增加、效率降低以及可靠性下降。
目前，國內生產的電力電子器件仍以晶閘管為主，其中的一些中低檔產品業已成熟，並有相當的批量出口
從70年代後期開始，可關斷晶閘管(gto)、電力晶體管(gtr或bjt)及其模塊相繼實用化。
此後各種高頻率的全控型器件不斷問世，主要有:
電力場控晶體管(即功率mosfet)、絕緣柵極雙極晶體管(igt或igbt)、靜電感應晶體管(sit)、靜電感應晶閘管(sith)等，這些器件的產生和發展，已經形成了一個新型的全控電力電子器件的大家族。
由於全控型器件可以控制開通和關斷，大大提高了開關控制的靈活性。