半導體工藝發展歷史

A. 半導體技術經歷的幾個階段

半導體技術主要是來以半導體為材源料，製作成組件及集成電路的技術，它非常重要的發展趨勢就是降低成本和能量的消耗，這就要求晶體管微小化，使集成度變高。根據尺度可以，分為兩個階段微電子階段和納米電子階段，剛開始IC都叫微電子技術，因為晶體管的大小是在微米（10-6米）等級；但是根據摩爾定律尺寸一直在減小（大約在 15 年前，半導體開始進入次微米，即小於微米的時代，爾後更有深次微米，比微米小很多的時代。到了 2001 年，晶體管尺寸甚至已經小於 0.1 微米，也就是小於 100 奈米。）現在尺寸達到納米級別（由於量子尺寸效應，表現出很多特殊性質。）
只是個人觀點，請批判接受！

B. 人類半導體發展過程中

先有A/D。
計算機、數字通訊等數字系統是處理數字信號的電路系統。然而，在實際應用中，遇到的大都是連續變化的模擬量，因此，需要一種介面電路將模擬信號轉換為數字信號。A/D轉換器正是基於這種要求應運而生的。1970年代初，由於MOS工藝的精度還不夠高，所以模擬部分一般採用雙極工藝，而數字部分則採用MOS工藝，而且模擬部分和數字部分還不能做在同一個晶元上。因此，A/D轉換器只能採用多晶元方式實現，成本很高。1975年，一個採用NMOS工藝的10位逐次逼近型A/D轉換器成為最早出現的單片A/D轉換器。
1976年，出現了解析度為11位的單片CMOS積分型A/D轉換器。此時的單片集成A/D轉換器中，數字 部分佔主體，模擬部分只起次要作用；而且，此時的MOS工藝相對於雙極工藝還存在許多不足。1980年代，出現了採用BiCMOS工藝製作的單片集成A/D轉換器，但是工藝復雜，成本高。隨著CMOS工藝的不斷發展，採用CMOS工藝製作單片A/D轉換器已成為主流。這種A/D轉換器的成本低、功耗小。1990年代，攜帶型電子產品的普遍應用要求A/D轉換器的功耗盡可能地低。當時的A/D轉換器功耗為mW級，而現在已經可以降到μW級。A/D轉換器的轉換精度和速度也在不斷提高，目前，A/D轉換器的轉換速度已達到數百MSPS，解析度已經達到24位。

C. 什麼是半導體工藝

這個課題太大!因為涉及半導體材料的泛范圍太廣了!簡單地說:以半導體材內料及衍生材料為容主體的各種工藝研發和製造都稱為半導體工藝!半導體:顧名思義!就是導電率介於導體和絕緣體之間的金屬及非金屬材料!常見的硅,鍺,都屬於此類!

D. 半導體後道工藝是什麼意思

半導體前道工序一般指引線匡架(leadframe)加工國內的企業如ASM(沖壓片)QPL(蝕刻片)
後工序一般指IC封裝,包括貼晶片,焊線,塑封,切筋,測試等工序,國內企業如ASAT,NANGTONG,江蘇長電,台灣的有ASE,OSE什麼的.
封裝就是通常所說的後工序,AMD應該是做後工序,至於和劍做什麼的沒聽說過.
國內的半導體封裝企業上海江蘇比較多大多是國外/香港/台灣公司的國內工廠.比如Freescale/TJ在天津,Unisem/CN在重慶,LINGSEN好象在江蘇那邊,LIYUAN也在那邊,AMKOR/IFMY/TI是國外比較出名半導體的封裝公司.
半導體設備分為前道和後道，前道主要是光刻、刻蝕機、清洗機、離子注入、化學機械平坦等。後道主要有打線、Bonder、FCB、BGA植球、檢查、測試等。又分為濕製程和干製程。濕製程主要是由液體參與的流程，如清洗、電鍍等。干製程則與之相反，顧名思義是沒有液體的流程。其實半導體製程大部分是干製程。國內有做得靠鋪的公司嗎：不多，但是還是有的。
http://ic.big-bit.com/news/

E. 半導體製造工藝發展的主要指標為特徵尺寸和什麼

半導體製造工藝發展的最重要指標是產出成品的良率，特徵尺寸都是因良率來界定 ，所以主要指標應該有良率。

F. 峨嵋半導體材料廠的發展歷程

一、大事記
——1964年10月，根據中共中央關於加強大三線建設的指示精神。冶金工業部於一九六四年十月九日下發（64）冶發基辦字1271號文，一九六四年十月十二日下發（65）冶發基辦字1305號文「關於堅決保證完成一九六四年遷建任務的緊急通知」。確定北京有色金屬研究院三三八室（硅材料研究室）及與之配套的人員、裝置和職能管理部門內遷四川峨眉縣。定名：「冶金工業部北京有色金屬研究院第一研究所」，代號「七三九」。
北京有色金屬研究院黨委任命常秀山為北京有色金屬研究院第一研究所（七三九廠）黨總支付書記。任命張積珍為副廠、所長。11月中旬，七三九廠、所第一期工程破土動工。
——1965年5月北京有色金屬研究院第二批「三線」建設人員100多人到廠。8月15日多晶硅工序試車成功，產出第一爐多晶硅。10月廠、所全面投產。
——1966年4月第二期工程開工建設。沈陽冶煉廠第一批支援「三線」建設人員到廠。12月廠、所二百多名職工利用業余時間，僅用三個月，建成一棟家屬樓。建築面積1976M 。
——1967年3月氬氣氛外熱式無位錯區熔硅單晶拉製成功。沈陽冶煉廠，葫蘆島鋅廠，撫順301廠，湖南錫礦山等內遷人員和設備到廠。5月4日 第二期工程全面竣工交付使用。
——1968年4月第三期工程（化合物半導體研究室及單晶硅擴建工程）破土動工。12月完成了三氯氫硅還原尾氣中氫氣回收的小型試驗。
——1970年7月15日採用溴化蒸餾法制備出5N高純硼。8月拉制出第一根砷化鎵單晶。
——1971年2月4日多晶硅擴建工程01-3車間竣工交付使用。3月22日中羅雙方在北京簽訂關於中國向羅馬尼亞提供成套項目和技術援助的議定書。多晶硅和區熔部分的工藝技術由峨嵋半導體材料廠、所承擔。4月Φ35 mm 內熱式生產氫氣氛無位錯區熔硅單晶研製成功。
——1972年5月試製成功Φ40-42.5mm 大直徑區熔硅單晶。6月接受援助羅馬尼亞的多晶硅和單晶硅生產任務。7月4日根據冶金部要求，為支援七四一廠建設，廠、所第一批三十一名職工調離廠、所奔赴陝西華山半導體材料廠。7月15日：川冶（70）革字第314號文將「七三九廠」改稱「峨嵋半導體材料廠」，將「北京有色金屬研究院第一研究所」改稱「峨嵋半導體材料研究所」。
——1975年2月23日，拉制出Φ55x420mm大直徑區熔硅單晶。4月18日拉制出Φ83x200mm、重2.4公斤的直拉無位錯硅單晶。7月4日拉制出Φ60x300mm區熔硅單晶，重2.7公斤，達到國內先進水平。12月採用B2O3 熔體覆蓋法在國內首先研製出第一根InAs單晶。
——1976年4月研製出區熔大直徑（Φ70x150mm）無位錯硅單晶。
——1978年5月13日，國務院副總理方毅在四川省委副書記楊超的陪同下，來廠、所視察工作，並親筆題寫「大力發展材料科學」的題詞。
——1979年5月首次在國內制備出用作耿氏器件的多層砷化鎵外延材料。8－9月全面完成羅馬尼亞實習生的培訓任務。12月研究出水平摻錫的砷化鎵單晶，並成功地用於國防「三三一」工程。
——1980年1月在國內首次研究成功用於MOS集成電路的中子嬗變摻雜硅單晶。5月21日中共中央、國務院、中央軍委發來賀電，國防科工委寄來「感謝信」，表揚我廠、所為我國發射洲際導彈作出的貢獻。12月「739」牌真空P型、N型高阻區熔硅單晶和超純鎵獲部優產品稱號。同月成功研製了晶閘管用NTD硅材料。該工藝已推廣全國，為我國填補了一項空白。
——1981年1月，硅單晶車間副主任唐均松、工程師梁員慶、鍾煥榮、何風池、工人張兆地赴羅馬尼亞幫助羅方安裝調試設備和試車生產。3月16日 援建羅馬尼亞單晶硅廠區熔部分投產，羅方簽字驗收。
——1982年10月，經兩年的努力，廠、所與北京401所、中國計量科學研究院協作研製的硅單晶電阻率標准樣片，在昆明由國家計量局主持鑒定。通過鑒定，樣片填補了國內空白，達到美國 NBS標准樣片的水平。10月16日，中共中央、國務院，中央軍委電賀廠、所為運載火箭的研究和發射試驗成功所做的貢獻。12月7日，國防科工委來信表彰廠、所在我國潛水艇發射運載火箭中所做的貢獻。
——1983年8月4 K位大規模集成電路用P型‹100›硅單晶獲中國有色金屬總公司（部級）科技成果一等獎。12月完成了硅單晶微觀缺陷的熱氧化—腐蝕檢驗方法，並由國家標准局頒布為國家標准；
多晶硅真空區熔基硼檢驗方法、多晶硅斷面夾層化學檢驗方法、測定硅間隙氧含量的紅外吸收法、測定硅中代位碳含量的紅外吸收法等四種方法由國家標准總局頒布為標准方法。
——1984年4月18日，中共中央、國務院、中央軍委發來賀電，國防科工委寄來感謝信，表彰廠、所為試驗通信衛星發射成功所做出的貢獻。7月8日，N型NTD 單晶硅材料通過中國有色金屬工業總公司和核工業部組織的部級科技成果鑒定。10月16日-20日多晶硅學術年會在我廠、所召開。12月10日，中國科學院學部委員、中國科學院北京半導體所副所長林蘭英教授來廠、所講學，並接受聘請為廠、所學術委員會顧問。
——1986年6月26日四川省委書記楊汝岱來廠、所視察。12月27日與四川大學共同承擔的「非晶陽光電池研製」項目，通過了由省科委組織的專家鑒定。
——1987年1月19日，廠、所承擔的「多晶硅九對棒還原爐的研製」項目，在成都通過了省科委組織的鑒定。6月5日，在國務院環境保護委員會召開的首屆「全國環境優美工廠」表彰授獎大會上，我廠、所榮獲「全國環境優美工廠」稱號，廠、所長曾欣然出席了會議，並領取了獎牌和證書。9月11日廠、所自行設計製造的兩台鎵單晶爐安裝調試完畢，運行正常。
——1988年2月12日廠、所科協舉辦第一屆學術交流年會。6月26日中國有色金屬工業總公司安環部會同中科院環境科學委員會在廠、所召開「企業生態工程」課題論證會。中科院馬世駿教授和國家科委的單位的四十六名專家出席了會議。與會專家一致通過了課題論證。
——1989年6月10日，我所與中國劑量科學研究院、中國原子能科學研究院共同研製的「硅單晶電阻率標准樣片」獲國家一級比安裝物質證書。
——1990年9月11日，根據總公司黨組決定：中國半導體材料（集團）公司籌備組組長、廠、所長李本成率副廠、所長施尚林等十一名同志赴西安開展中國半導體材料（集團）公司籌備工作。10月，廠、所「739牌FZ種子嬗變摻雜硅單晶研磨片」獲國家質量獎銀質獎章。10月我 廠、所「739牌FZ中子嬗變摻雜硅單晶磨片」獲國家銀質獎章。10月23-27日，「電子、半導體材料一九九O年學術年會」在我廠、所召開。12月19日，大硅管開發攻關小組成立。
——1991年5月24日廠、所榮獲李鵬總理簽署的「為北京正負電子對撞機做貢獻」榮譽證書。11月廠、所「企業生態工程研究」項目的科研成果通過了中國有色金屬工業總公司組織的專家鑒定。
——1997年4月9-11日，國家計委組織國防科工委，財政部，電子部等部委參加的「軍工配套項目『496』工程」調研組來我廠、所考察。5月21日，國家計委以計司科技函（1997）018號文，正式批復我廠、所«年產100噸多晶硅國家重點工業試驗性項目立項建議書»，同意立項。9月3，日國家計委以計科技（1997）157號文，批復了100噸年多晶硅項目可行性研究報告。總投資9940萬元，其中國家投資1500萬元。定2000年6月前完成。
——1998年9月電力器件用NTD-FZ單晶硅及矽片榮獲國家級新產品稱號。10月廠、所被四川省經貿委確定為「省級企業技術中心」。12月經316小時的運轉，自行研製的節能型大還原爐產出國內第一爐Φ115x1500mm 多晶硅棒。爐產達392.2kg。
——2000年1月9日《年產100噸多晶硅工業性試驗項目》通過了國家計委組織的鑒定驗收。10月25日，國家發展計劃委員會以計高技【2000】1419號文，向國務院提交關於審批峨眉半導體材料廠建設年產1000噸多晶硅高技術產業化示範工程項目建議書的請示報告。報告闡述了項目建設的必要性和建設規模、投資及經濟效益後，認為擬在峨眉半導體材料廠建設的年產1000噸多晶硅高技術產業化示範工程項目，是利用我國具有自主知識產權的先進技術建設的，項目符合產業政策，立項條件已經具備。建議國務院批准該項目建議書。
——2003年承擔國家級科研項目8項：萬歐級高阻p型硅單晶研製；「496」工程條件保障建設專用高純材料研製；高純材料產業化；SiCl4產業化前期研究開發；高純銻技術開發研究；「863」計劃「高純四氯化硅（4N）的純化技術和規模化生產技術；銻化銦多晶材料規模化生產技術研究開發；高純鎵產業化平台技術。
——2004年組織開展了年產200噸太陽能級多晶硅技術改造項目的可行性研究工作。該項目已在2004年12月30日通過專家論證。同年項目建設已啟動。
——2005年廠所銷售收入首次突破億元大關。
——2006年6月，在東方電氣集團和國務院國有資產監督與管理委員會的支持下，由樂山市人民政府牽線，廠、所完成了國有資產無償劃轉到東方氣輪機廠，實現了強強聯合，為廠、所的跨越式發展奠定了堅實的基礎。「東汽」向廠、所注入6億資金。經過三個月的託管期，10月份整體劃轉德陽「東方汽輪機廠」，11月變更法人代表。12月28日成為「東方汽輪機投資發展有限公司」下屬子公司之一。10月28日東汽峨半年產500噸電路級多晶硅項目舉行奠基儀式。
——2007年3月19日東汽峨半1500噸多晶硅項目在樂山五通啟動。
——2008年4月29日東汽峨半光伏項目一期120MW工程奠基儀式在峨眉山市電子工業園區舉行。9月東汽峨半年產500噸電路級多晶硅項目建成投產。
三、廠所44年生產經營情況統計
1965-2008廠、所主要經濟指標表 單位：萬元 1965 1966 1967 1968 1969 1970 1971 1972 1973 1974 1975 產值 0 128 274 235 248 467 1426 1379 618 327 513 銷售收入 0 205 386 250 329 670 1326 982 420 253 366 1976 1977 1978 1979 1980 1981 1982 1983 1984 1985 1986 產值 654 975 1139 898 521 485 964 1100 1323 1727 128 銷售收入 443 839 797 687 389 434 767 872 856 933 618 1987 1988 1989 1990 1991 1992 1993 1994 1995 1996 1997 產值 1678 1702 1710 182 217 272 3195 3135 3472 3604 3733 銷售收入 886 1018 1250 1215 1450 1962 4160 2772 3241 3933 3948 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008.8 產值 4038 3366 5867 5596 4989 6315 7182 12290 22228 34273 39946 銷售收入 5608 3195 5095 4638 4377 5776 6926 12383 20414 37064 41229

G. 半導體製造工藝是怎樣的

http://wenku..com/view/3dadee39580216fc700afd35.html

H. 有關半導體工藝的問題

首先說明一下，半導體中所謂的工藝指得是IC在由設計文件生產成為實體的過程步驟和技術（這是我自己組織的語言，明白是什麼意思就成了），比如你所說摻雜、注入、光刻、腐蝕都是現在比較流行也是傳統的半導體生產工藝。 而擴展到集成電路上，這個「工藝」一般又多了一層「特徵尺寸」的感念，比如人們常說「我這CPU是core2o，用得是45nm的工藝」。當然現在最先進的工藝已經達到了30nm左右，甚至在實驗室中有更低的數值得以實現.

至於你說的MOS，CMOS這些東西，我個人認為不能稱之為「工藝」，而是電路組成形式。以CMOS為例，它的意思是「互補對稱型MOS」，即電路中的基本單元是一個反向器（由一個NMOS和一個PMOS構成），--整個電路都是由這種單元組成，因此它是一種電路組成形式。

工藝和電路組成形式的對應關系是：CMOS為單極型工藝（口頭上即稱為COMS工藝，所以容易產生你的那種誤解），是數字電路的代表；TTL電路形式為雙極型工藝（口頭上就是雙極型），是模擬電路的代表。而前面所說的「摻雜、注入、光刻、腐蝕」多用於單極型工藝，雙級型也類似但具體還是有些不同的。

die bond,wire bond則是封裝工藝。

如果我去回答面試的那幾個問題時，我基本上就從「特徵尺寸」和工藝流程上說一下。中國大陸現在能做的最小工藝尺寸就是45nm（如INTEL的大連廠）了，要算上台灣的話，基本能做到世界最先進的水平（TCMC和中芯國際），不過知識產權是不是自己的就不好說了。第三個問題我會反問下考官是是指的電路形式還是工藝流程，因為現在有些企業負責的人自己業務都搞得不怎樣，問問題也比較奇怪

I. 半導體製造技術的介紹

《半導體製造抄技術》是2009年電子工襲業出版社出版的圖書，作者是(美國)MichaelQuirk。《半導體製造技術》詳細追述了半導體發展的歷史並吸收了當今最新技術資料，學術界和工業界對《半導體製造技術》的評價都很高。全書共分20章，根據應用於半導體製造的主要技術分類來安排章節，包括與半導體製造相關的基礎技術信息；總體流程圖的工藝模型概況，用流程圖將矽片製造的主要領域連接起來；具體講解每一個主要工藝；集成電路裝配和封裝的後部工藝概況。此外，各章為讀者提供了關於質量測量和故障排除的問題，這些都是會在矽片製造中遇到的實際問題。