三極體歷史以及發展現狀

① 薄膜晶體管的歷史及現狀

人類對 TFT 的研究工作已經有很長的歷史. 早在 1925 年, Julius Edger Lilienfeld 首次提出結型場效應晶體管 (FET) 的基本定律,開辟了對固態放大器的研究.1933 年,Lilienfeld 又將絕緣柵結構引進場效應晶體管(後來被稱為 MISFET).1962 年,Weimer 用多晶 CaS 薄膜做成 TFT;隨後,又涌現了用 CdSe,InSb,Ge 等半導體材料做成的 TFT 器件.二十世紀六十年代,基於低費用,大陣列顯示的實際需求,TFT 的研究廣為興起.1973 年,Brody 等人 136 光 子 技 術 2006 年 9 月 首次研製出有源矩陣液晶顯示(AMLCD) ,並用 CdSe TFT 作為開關單元.隨著多晶硅摻雜工藝的發展,1979 年 後來許多實驗室都進行了將 AMLCD LeComber,Spear 和 Ghaith 用 a-Si:H 做有源層,做成如圖 1 所示的 TFT 器件. 以玻璃為襯底的研究.二十世紀八十年代,硅基 TFT 在 AMLCD 中有著極重要的地位,所做成的產品占據了市場絕 大部分份額.1986 年 Tsumura 等人首次用聚噻吩為半導體材料制備了有機薄膜晶體管(OTFT) ,OTFT 技術從此開 始得到發展.九十年代,以有機半導體材料作為活性層成為新的研究熱點.由於在製造工藝和成本上的優勢,OTFT 被認為將來極可能應用在 LCD,OLED 的驅動中.近年來,OTFT 的研究取得了突破性的進展.1996 年,飛利浦公 司採用多層薄膜疊合法製作了一塊 15 微克變成碼發生器(PCG) ;即使當薄膜嚴重扭曲,仍能正常工作.1998 年, 的無定型金屬氧化物鋯酸鋇作為並五苯有機薄膜晶體管的柵絕 IBM公司用一種新型的具有更高的介電常數 緣層,使該器件的驅動電壓降低了 4V,遷移率達到 0.38cm2V-1 s-1.1999 年,Bell實驗室的 Katz 和他的研究小組制 得了在室溫下空氣中能穩定存在的噻吩薄膜,並使器件的遷移率達到 0.1 cm2V-1 s-1.Bell 實驗室用並五苯單晶製得 這向有機集成 了一種雙極型有機薄膜晶體管, 該器件對電子和空穴的遷移率分別達到 2.7 cm2V-1 s-1 和 1.7 cm2V-1 s-1, 電路的實際應用邁出了重要的一步.最近幾年,隨著透明氧化物研究的深入,以 ZnO,ZIO 等半導體材料作為活性 層製作薄膜晶體管,因性能改進顯著也吸引了越來越多的興趣.器件制備工藝很廣泛,比如:MBE,CVD,PLD 等, 均有研究.ZnO-TFT 技術也取得了突破性進展.2003 年,Nomura等人使用單晶 InGaO3 (ZnO)5 獲得了遷移率為 80 cm2V-1 s-1 的 TFT 器件.美國杜邦公司採用真空蒸鍍和掩膜擋板技術在聚醯亞銨柔性襯底上開發了 ZnO-TFT,電 這是在聚醯亞銨柔性襯底上首次研製成功了高遷移率的 ZnO-TFT, 這預示著在氧化物 TFT 子遷移率為 50 cm2V-1 s-1. 2006 年, Cheng 領域新競爭的開始. 2005 年, Chiang H Q 等人利用 ZIO 作為活性層製得開關比為 107 薄膜晶體管. H C等人利用 CBD 方法製得開關比為 105 ,遷移率為 0.248cm2V-1s-1 的 TFT,這也顯示出實際應用的可能.

② 晶體管的發展歷史是怎樣的

50年代美國通抄用電氣公司發明的硅晶閘管的問世，標志著電力電子技術的開端。
到了70年代，晶閘管已經派生了快速晶閘管、逆導晶閘管、雙向晶閘管、不對稱晶閘管等半控型器件
電力電子器件的功率也越來越大，性能日益完善。
但是由於晶閘管的固有特性，工作頻率較低(一般低於400hz)，大大限制了它的應用范圍，並且由於其固有的特性，比如關斷這些器件，必須要有強迫換相電路，使得整體體積增大、重量增加、效率降低以及可靠性下降。
目前，國內生產的電力電子器件仍以晶閘管為主，其中的一些中低檔產品業已成熟，並有相當的批量出口
從70年代後期開始，可關斷晶閘管(gto)、電力晶體管(gtr或bjt)及其模塊相繼實用化。
此後各種高頻率的全控型器件不斷問世，主要有:
電力場控晶體管(即功率mosfet)、絕緣柵極雙極晶體管(igt或igbt)、靜電感應晶體管(sit)、靜電感應晶閘管(sith)等，這些器件的產生和發展，已經形成了一個新型的全控電力電子器件的大家族。
由於全控型器件可以控制開通和關斷，大大提高了開關控制的靈活性。

③ 晶體管的發展歷程是怎樣的

晶體管的發明

④ 三極體的發展歷史，

發展歷史
1947年12月23日，美國新澤西州墨累山的貝爾實驗室里，3位科學家--巴丁博士專、布萊頓博士和肖克萊博士在緊屬張而又有條不紊地做著實驗。他們在導體電路中正在進行用半導體晶體把聲音信號放大的實驗。3位科學家驚奇地發現，在他們發明的器件中通過的一部分微量電流，竟然可以控制另一部分流過的大得多的電流，因而產生了放大效應。這個器件，就是在科技史上具有劃時代意義的成果--晶體管。因它是在聖誕節前夕發明的，而且對人們未來的生活發生如此巨大的影響，所以被稱為"獻給世界的聖誕節禮物"。這3位科學家因此共同榮獲了1956年諾貝爾物理學獎。

晶體管促進並帶來了"固態革命"，進而推動了全球范圍內的半導體電子工業。作為主要部件，它及時、普遍地首先在通訊工具方面得到應用，並產生了巨大的經濟效益。由於晶體管徹底改變了電子線路的結構，集成電路以及大規模集成電路應運而生，這樣製造像高速電子計算機之類的高精密裝置就變成了現實

⑤ 光電三極體的現狀，應用和發展

光電三極體現已發展成為一類特殊的半導體隔離器件。它體積小、壽命長、無觸點、抗干擾、能隔離,並具有單向信號傳輸和容量連接等功能。
美、日兩國生產的以紅外發光三極體和光敏器件管組成的器件為主,該類器件大約占整個美、日兩國生產的全部光電耦合器的60%左右。因為這種類型的器件不僅電流傳輸效率高（一般為7～30%）,而且響應速度比較快（2～5μs）,因而能夠滿足大多數應用場合要求。日本橫河電機公司用GaAsP紅外發光二極體作輸入端,PIN光電二極體作接收端製成的三種高速光電耦合器的絕緣電壓都在3000伏以上,其中5082—43610型超高速數字光電三極體和5082—4361型高共模抑制型光電三極體的響應速度均可達到10Mb/s,它們的電流傳輸效率高達60%以上。美國莫托羅拉公司生產的4N25、4N26、4N27型光電耦合器屬於三極體輸出型光電耦合器[2],這種光電耦合器具有很高的輸入、輸出絕緣性能,其頻率響應可達300kHz,而開關時間只有幾微秒。
光電三極體在多種電子設備中的應用非常廣泛。隨著數字通信技術的迅速發展以及光隔離器和固體繼電器等自動控制部件在機械工業中應用的不斷擴大,特別是微處理機在各個領域中的應用推廣（有時一台微機上的用量可達十幾個甚至上百個）和產品性能的逐步提高,光電耦合器的應用市場將日益擴大,同時,其社會交流和經濟交流也一定會十分顯著。今後,光電三極體將向高速化、高性能,小體積,輕重量的方向發展。

⑥ 晶體管的發明歷程是怎樣的

晶體管的發明，最早可以追溯到1929年，當時工程師利蓮費爾德就已經取得一種晶體管的專利。但是，限於當時的技術水平，製造這種器件的材料達不到足夠的純度，而使這種晶體管無法製造出來。

由於電子管處理高頻信號的效果不理想，人們就設法改進礦石收音機中所用的礦石觸須式檢波器。在這種檢波器里，有一根與礦石(半導體)表面相接觸的金屬絲(像頭發一樣細且能形成檢波接點)，它既能讓信號電流沿一個方向流動，又能阻止信號電流朝相反方向流動。在第二次世界大戰爆發前夕，貝爾實驗室在尋找比早期使用的方鉛礦晶體性能更好的檢波材料時，發現摻有某種極微量雜質的鍺晶體的性能不僅優於礦石晶體，而且在某些方面比電子管整流器還要好。

在第二次世界大戰期間，不少實驗室在有關硅和鍺材料的製造和理論研究方面，也取得了不少成績，這就為晶體管的發明奠定了基礎。

為了克服電子管的局限性，第二次世界大戰結束後，貝爾實驗室加緊了對固體電子器件的基礎研究。肖克萊等人決定集中研究硅、鍺等半導體材料，探討用半導體材料製作放大器件的可能性。

布拉頓等人還想出有效的辦法，來實現這種放大效應。他們在發射極和基極之間輸入一個弱信號，在集電極和基極之間的輸出端，就放大為一個強信號了。在現代電子產品中，上述晶體三極體的放大效應得到廣泛的應用。

巴丁和布拉頓最初製成的固體器件的放大倍數為50左右。不久之後，他們利用兩個靠得很近(相距0.05毫米)的觸須接點，來代替金箔接點，製造了「點接觸型晶體管」。1947年12月，這個世界上最早的實用半導體器件終於問世了，在首次試驗時，它能把音頻信號放大100倍，它的外形比火柴棍短，但要粗一些。

在為這種器件命名時，布拉頓想到它的電阻變換特性，即它是靠一種從「低電阻輸入」到「高電阻輸出」的轉移電流來工作的，於是取名為trans-resister(轉換電阻)，後來縮寫為transister，中文譯名就是晶體管。

由於點接觸型晶體管製造工藝復雜，致使許多產品出現故障，它還存在雜訊大、在功率大時難於控制、適用范圍窄等缺點。為了克服這些缺點，肖克萊提出了用一種「整流結」來代替金屬半導體接點的大膽設想。半導體研究小組又提出了這種半導體器件的工作原理。

1950年，第一隻「面結型晶體管」問世了，它的性能與肖克萊原來設想的完全一致。今天的晶體管，大部分仍是這種面結型晶體管。

1956年，肖克萊、巴丁、布拉頓三人因發明晶體管同時榮獲諾貝爾物理學獎。

⑦ 三極體的意義，現狀及發展趨勢

用來放大信號和開關作用