二極體的發展歷史

1. 真空管的發展史

引擎運轉必須要有燃料，真空管的動作動力為電能。真空管的電極當中，最重要的應屬陰極，它負責將電子釋放出來，作為一切動作的基本。最早的真空管由於構造及理論簡單，直接將燈絲充當陰極使用，換句話說，當燈絲點亮時，由於燈絲溫度提高，電子就從燈絲釋放出來，經過柵極直奔屏極。這種真空管就叫做「直熱式真空管」，這次專題的主角300B，就是屬於這類型的真空管，相較於其他現代化的五極真空管，300B的構造簡單，性能好，輸出功率也低。 燈絲（Filament）可以使用不同的材質製成，由於直熱式三極體直接將燈絲當作陰極，因此燈絲的特性直接影響著直熱式真空管的性能。基本上，真空管的燈絲主要可分成三種材質構成，第一種當然是耐高溫的鎢絲。將純度高的鎢絲抽成細絲，卷繞成狀在真空管的最內層，通電之後即可發出溫度。但鎢絲必須加溫到兩千餘度時，電子才能發散，因此以鎢絲製成燈絲的真空管點燃時，會發出光輝耀眼的亮度，同時溫度高得嚇人。別意外，不是真空管要燒掉了，而是它本如此！但將鎢絲點亮需要消耗較大的電力，唯一的優點是鎢絲甚為耐用，普遍運用於較大功率或長壽命的真空管上。筆者經常聽到人說：「那支真空管點起來那麼亮，一定兩三下就掛點了」。其實並不然，在某些情況下這種真空管的壽命可達數萬小時，拿來當作家裡的燈泡，既耐用又有裝飾的作用，一舉數得！
另一種燈絲採用釷鎢合金，它只需將燈絲加溫至千餘度即可工作，相較之下較省電力。最常使用的應為氧化鹼土燈絲，它的作法是在燈絲外，塗上一層厚厚的氧化鹼土，看起來接近白灰色的物質，它只需要加溫至約700度（看起來約暗紅色），即可獲得足量的電子，因此工作溫度最低、也最節省電力，一般而言只須供應6.3V左右的直流，就可以正常工作。
直熱式真空管當然有它天生的優點，但卻有一個致命的缺點，那就是陰極容易受到燈絲的溫度而改變特性。當燈絲電壓變動時，或以交流電供應燈絲時，陰極呈現在不穩定的狀態下。因此有人主張直熱式真空管應採用直流供電，也有人強調必須以交流供電以免損傷陰極，這種爭論過去在音響界早已成為一個爭論不休的話題。筆者無意在此引起話題，反正各方堅持各有道理，只要聽起來沒問題，管子耐用好聽就行了。如果您有研究上的心得，筆者相當樂於接受。 傍熱式真空管的穩定度較高
為了解決直熱式真空管的燈絲問題，真空管設計者決定讓燈絲與陰極分家獨立，在燈絲的旁邊套上一圈金屬套筒，讓燈絲直接對金屬板加熱，電子從金屬板散發出來，這種加熱方式就稱為「傍熱式真空管」。 直熱式真空管與傍熱式真空管使用上的差異，對於一般使用者而言是不必在乎直熱式真空管與傍熱式真空管的不同，但對於設計者而言，傍熱式真空管由於間接加熱的關系，燈絲電流通常較大，而且傍熱式的結構必須對陰極金屬板加溫，因此開機後有一段緩慢的加溫期，如果是前級，則必須做好延遲設計，以免開機的脈沖傷了後級。
依據發展的過程來看，最早的真空管當然是直熱式的設計，二極體是首先被發展出來的，二極體的功能猶如現在的二極體，具有整流以及收音機內部檢波的功能，二極體經過適當的設計，也可以成為穩壓管，作用如現在的濟納二極體（Zener Diode）。由於真空管的動作原理很簡單，因此第一支真空管被成功的製造出來之後，就有許多科學家加入研發的工作。第一支三極體在1907年被一位美國科學家成功製造，從此便開啟了無線電時代的來臨，告別留聲機，進入擴大機時代。

2. 二極體陣列檢測器的發展歷史

光電二極體陣列檢測器的開發是近10多年內高效液相色譜技術最重要的進步。1975 年Talmi首次報道了二極體陣列系統的使用，後來Yates、Kuwanan和Milano)(35等人對該項技術做了進一步發展。1982 年惠普公司推出世界上第一台商品化二極體陣列檢測器HP 1040A（圖4-3-14），是根據該公司開發的第一台光電二極體陣列分光光度計技術設計而成的。從此液相色譜分析獲得許多重大發展，一次進樣可得到更多的信息，數據處理更快，不僅可以克服普通紫外可見吸收檢測器的缺點，而且還能獲得色譜分離組分的三維光譜色譜圖，為分析工作者提供十分豐富的定性定量信息。此後該種檢測器又有一些新的改進，獲得了更好的波長解析度和更高的靈敏度。光學多通道檢測技術不僅僅可以採用光電二極體陣列做為光電檢測元件。硅光導攝像管是首先被應用到液相色譜陣列檢測器的光電檢測元件，但由於紫外響應弱，成本比光電二極體陣列高，響應慢等缺點而較少應用。電荷耦合陣列檢測器（charge-coupied device array detector，CCD檢測器）具有很多優異的性能：光譜范圍寬、量子效率高、暗電流小、雜訊低、線性范圍寬等。但CCD檢測器的紫外響應弱，信號收率低，有礙它的進一步發展。其它的光電檢測元件同樣具有以上這些缺點，因此光電二極體成為目前最主要、最常用的光學多通道檢測技術的光電檢測元件。
現有的光電二極體陣列檢測器的製造商主要有：Beckman Instruments Inc（貝克曼儀器公司）、Dionex Corp（戴安公司）、Groton Technology Inc.、Hitachi Instruments Inc.、Hewlett-Packzrd Co.（惠普公司）、Perkin-Elmer Corp.（ 珀金-埃爾默公司）、Shimadzu Scientific Instruments Ins.（ 島津公司）、Thermo Separation Procts（熱電公司）、Varian Znstruments（瓦里安公司）和Waters Corp.（沃特斯公司）。幾乎所有的國外主要分析儀器製造商都開發了二極體陣列檢測器。二極體陣列檢測器的技術發展已比較成熟。

3. 晶體管的發展歷程是怎樣的

晶體管的發明

4. 二極體發展史，包括前景，哪位大俠知道的，煩請指教！！！！

早在第來一次世界大戰末期已出自現晶體檢波器。
1930年，半導體整流器投入市場。
1949年W.B.肖克萊建立了PN結理論，為半導體器件奠定了科學基礎。
此後隨著半導體材料和工藝技術的發展，利用不同的半導體材料、摻雜分布、幾何結構，研製出結構種類繁多、功能用途各異的多種晶體二極體。製造材料有鍺、硅及化合物半導體。晶體二極體可用來產生、控制、接收、變換、放大信號和進行能量轉換等。

5. 二極體這個發展史和創造史是什麼

電子元件當中，一種具有兩個電極的裝置，只允許電流由單一方向流過，許多的使用是應用其整流的功能。而變容二極體（Varicap Diode）則用來當作電子式的可調電容器。大部分二極體所具備的電流方向性我們通常稱之為「整流（Rectifying）」功能。二極體最普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過（稱為順向偏壓），反向時阻斷 （稱為逆向偏壓）。因此，二極體可以想成電子版的逆止閥。
一、二極體定義：
二極體（英語：Diode），電子元件當中，一種具有兩個電極的裝置，只允許電流由單一方向流過。許多的使用是應用其整流的功能。而變容二極體（Varicap Diode）則用來當作電子式的可調電容器。

二、簡介：
大部分二極體所具備的電流方向性我們通常稱之為「整流（Rectifying）」功能。二極體最普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過（稱為順向偏壓），反向時阻斷 （稱為逆向偏壓）。因此，二極體可以想成電子版的逆止閥。然而實際上二極體並不會表現出如此完美的開與關的方向性，而是較為復雜的非線性電子特徵——這是由特定類型的二極體技術決定的。二極體使用上除了用做開關的方式之外還有很多其他的功能。早期的二極體包含「貓須晶體（"Cat's Whisker"Crystals）」以及真空管(英國稱為「熱游離閥（Thermionic Valves）」)。現今最普遍的二極體大多是使用半導體材料如硅或鍺。

三、主要特性：
1、正向性

外加正向電壓時，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結內電場的阻擋作用，正向電流幾乎為零，這一段稱為死區。這個不能使二極體導通的正向電壓稱為死區電壓。當正向電壓大於死區電壓以後，PN結內電場被克服，二極體正向導通，電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內，導通時二極體的端電壓幾乎維持不變，這個電壓稱為二極體的正向電壓。

2、反向性

外加反向電壓不超過一定范圍時，通過二極體的電流是少數載流子漂移運動所形成反向電流。由於反向電流很小，二極體處於截止狀態。這個反向電流又稱為反向飽和電流或漏電流，二極體的反向飽和電流受溫度影響很大。

3、擊穿

內部結構外加反向電壓超過某一數值時，反向電流會突然增大，這種現象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極體反向擊穿電壓。電擊穿時二極體失去單向導電性。如果二極體沒有因電擊穿而引起過熱，則單向導電性不一定會被永久破壞，在撤除外加電壓後，其性能仍可恢復，否則二極體就損壞了。因而使用時應避免二極體外加的反向電壓過高。

4、二極體是一種具有單向導電的二端器件，有電子二極體和晶體二極體之分，電子二極體現已很少見到，比較常見和常用的多是晶體二極體。二極體的單向導電特性，幾乎在所有的電子電路中，都要用到半導體二極體，它在許多的電路中起著重要的作用，它是誕生最早的半導體器件之一，其應用也非常廣泛。

5、二極體的管壓降：硅二極體（不發光類型）正向管壓降0.7V，鍺管正向管壓降為0.3V，發光二極體正向管壓降會隨不同發光顏色而不同。主要有三種顏色，具體壓降參考值如下：紅色發光二極體的壓降為2.0--2.2V，黃色發光二極體的壓降為1.8—2.0V，綠色發光二極體的壓降為3.0—3.2V，正常發光時的額定電流約為20mA。

6、二極體的電壓與電流不是線性關系，所以在將不同的二極體並聯的時候要接相適應的電阻。

7、二極體的特性曲線

與PN結一樣，二極體具有單向導電性。硅二極體典型伏安特性曲線。在二極體加有正向電壓，當電壓值較小時，電流極小；當電壓超過0.6V時，電流開始按指數規律增大，通常稱此為二極體的開啟電壓；當電壓達到約0.7V時，二極體處於完全導通狀態，通常稱此電壓為二極體的導通電壓，用符號UD表示。對於鍺二極體，開啟電壓為0.2V，導通電壓UD約為0.3V。在二極體加有反向電壓，當電壓值較小時，電流極小，其電流值為反向飽和電流IS。當反向電壓超過某個值時，電流開始急劇增大，稱之為反向擊穿，稱此電壓為二極體的反向擊穿電壓，用符號UBR表示。不同型號的二極體的擊穿電壓UBR值差別很大，從幾十伏到幾千伏。

6. 晶體管的發展歷史是怎樣的

50年代美國通抄用電氣公司發明的硅晶閘管的問世，標志著電力電子技術的開端。
到了70年代，晶閘管已經派生了快速晶閘管、逆導晶閘管、雙向晶閘管、不對稱晶閘管等半控型器件
電力電子器件的功率也越來越大，性能日益完善。
但是由於晶閘管的固有特性，工作頻率較低(一般低於400hz)，大大限制了它的應用范圍，並且由於其固有的特性，比如關斷這些器件，必須要有強迫換相電路，使得整體體積增大、重量增加、效率降低以及可靠性下降。
目前，國內生產的電力電子器件仍以晶閘管為主，其中的一些中低檔產品業已成熟，並有相當的批量出口
從70年代後期開始，可關斷晶閘管(gto)、電力晶體管(gtr或bjt)及其模塊相繼實用化。
此後各種高頻率的全控型器件不斷問世，主要有:
電力場控晶體管(即功率mosfet)、絕緣柵極雙極晶體管(igt或igbt)、靜電感應晶體管(sit)、靜電感應晶閘管(sith)等，這些器件的產生和發展，已經形成了一個新型的全控電力電子器件的大家族。
由於全控型器件可以控制開通和關斷，大大提高了開關控制的靈活性。

7. 水管的起源與發展

管道，最早起源於中國古代，用於防洪排澇系統。
那麼在漫長的人類歷史中，早期的水管是什麼樣的呢？事實上，古人的智慧可以讓現代驚嘆無數次。你知道下面這個地下排水管是什麼時候的嗎？
據1979年考古發掘，從北京古城南門門道之下挖出殘長5米多的陶制排水管道三條，下面一條，其上再並列鋪兩條，管道每節長0.35-0.45米不等。經測定距現在約4000年。
2006年在西安市西郊阿房宮遺址附近驚現的戰國秦朝時的排水管道！這組陶制排水管道一節58厘米，外表繩紋，一頭粗一頭細，大頭套著小頭，東西長達到78米，南北長10米。另外在西邊還有一處18米長呈南北走向的排水管道。

通過出土的部分管道來看，此處應該是距今2000多年以前戰國秦時期的皇家宮殿建築的排水管道。

古代排水管道的起源是伴隨著城垣的形成與發展而產生的。各種排水管道的出現與發展，與當時的城垣文化有著千絲萬縷的關聯，同古代文明的進程有著密切的關系。看看下面這個：

這是距今3300多年前的商朝，商王盤庚遷殷之後，社會秩序獲得穩定，政治、經濟、文化、科技等領域取得重大成就。這就是在安陽殷墟出土的陶制水管，其三通與直接的樣式跟當代產品幾乎一模一樣。
2010年，河南淮陽平糧台古城出土的距今4000多年的陶制排水管道在上海世博會亮相。

中國古代城市排水系統起源甚早，距今4300多年的河南淮陽平糧台古城在南門門道路土之下就發現有鋪設的陶質排水管道。這些排水系統不斷完善，在一些城市中還發現了水關（水閘）遺址，經過科學考古發掘的有廣州南越國時期的水閘遺址、北京金中都的水關遺址和北京元大都的水關遺址。
2012年，重慶寶林博物館帶著近20件藏品走進大渡口區一建築工地，為工人們做展覽。

這是一節保存完好的漢代排水管，長63厘米，一頭大一頭小，最寬處約20厘米，最窄處15厘米。壁厚約1.5厘米，管壁上還沾著泥土。據介紹，兩根排水管相接時，將小的一端插進大的一端，既可以穩固也不會漏水，古代的下水道就是這樣一節一節連接起來的。據介紹，如今室外的排水管，也是一端大一端小，沿用了古代的經驗，不過為了加固，還會套上膠圈。「從它的粗細，可以推斷當時城市的人口。」如果放到現在，可供1000人排水。
2014年，重慶永川區漢東城遺址考古發掘近日驗收，這一唐宋古城不僅出土了大量精品瓷器，而且展示出古代重慶十八驛之一的漢東驛的面貌，陶制下水管連通居民家。考古現場負責人代玉彪介紹，古城的主幹道寬約3米、用厚度約10厘米的巨石均勻平整砌成，路基由黃色黏土和鵝卵石築成，民居就臨近道路而建。房屋的柱洞、排水溝和牆體的基座等都被完整保留下來。排水溝呈長條形，是用加工規整的石板構築而車工內，可以盡可能地排水。民居內修建有直徑達10餘厘米的下水管道，都是用陶土燒制而成，連接後將屋內污水排到屋外的排水溝。代玉彪說，這里的排水系統設計非常科學，保證了位於長江邊的這座古城能夠經受住暴雨的肆虐。

重慶永川區漢東城遺址發掘出的宋朝時期遺址
2015年8月，施工人員在宜昌市老城改造獻福路拆遷工地，意外發現兩米多長的一段明清時期城市用陶制排水管。排水管已有兩三百年歷史，呈竹節狀連接。宜昌市檔案局原局長孫維玉現場查看後介紹，排水管外紋路叫「純紋」，是燒制之初刻制，排水管是宜昌善溪窯生產，主要用於古城裡大型建築物的排水。

世界現代管道始於19 世紀中葉。1859 年8 月，美國賓夕法尼亞州打出第一口油井，1863－1865 年試用鑄管輸送原油，因漏水未能實際應用。到1895 年才生產出質地較好的鋼管。1879 年，中國用鑄鐵管從旅順市的龍引泉引水供水師營駐軍用水，這標志著引進西方供水技術的開始。
不銹鋼管在世界上有悠久的歷史，早期的主要是厚壁螺紋連接和焊接連接。由於厚壁不銹鋼管的成本造價高，雖然衛生、性能優越，但未完全符合節能的社會發展觀念，因此引發於一些專家對不銹鋼「薄壁」連接的技術研究，最終薄壁不銹鋼管最早的連接技產生於1959年瑞典，因為產品應用效果良好，很快就得到推廣，隨之發展到德國、英國、中國和台灣等地。薄壁不銹鋼管連接技術的不斷發展，保障了給排水設計所需的技術性能，並克服了厚壁不銹鋼管的高價位和螺紋連接的不穩定性。市場需求的自然發展，促進薄壁不銹鋼管普及應用，是必然的。
日本
自20世紀60年代中期，薄壁不銹鋼在日本首次應用於城市供水和污水處理，至今已成為世所公認的最佳飲用水容器材料"，日本的自來水管道和建築內給水管道使用不銹鋼已經有50年的歷史了。
日本東京的自來水供水管道經歷了鍍鋅管──塑料管（PPR）和復合鋼管──薄壁不銹鋼管的發展歷程，1955年以前，普遍使用的是鍍鋅管，1955-1980年間，塑料管和不同材料的復合鋼管廣泛應用於建築物內的水管和部分室外水管，但不論是鍍鋅管還是塑料管，各種復合管，在長期的使用過程中，由於其材料耐腐蝕性不佳而受到腐蝕、因外力作用（如熱脹冷縮、施工破壞等）造成的漏水現象十分普遍。為此，東京供水局經過10多年的調查研究後決定從1980年5月份開始，凡50毫米以下直徑的供水管道、管接頭、水龍頭全部採用不銹鋼材質，從而從根本上解決了漏水問題。
美國
美國紐約的供水系統自20世紀60年代起採用不銹鋼。紐約市原有的飲水配送系統老化陳舊，無法滿足需求，當局在對備選材料進行15年評估的基礎上，於1993年在城市輸水管道的大口徑立柱管和其他管道建設中均大規模地採用了304L不銹鋼，其目標是建立一套使用壽命長達100年的系統。華盛頓地區供水管網改造，也採用了不銹鋼水管，當局考慮的出發點是整個壽命期的成本，與其他材料相比，不銹鋼在整個壽命期內的總成本是最低的。利用不銹鋼的耐腐蝕耐磨損長壽命的特點，以期降低管網的維護和更換費用。
義大利
自1995年起，義大利各城市普遍採用一種不挖溝技術，將原輸水主管道更換成不銹鋼管道。經驗表明：不銹鋼管道耐腐蝕、強度高，能夠耐地面下沉和地震，壽命至少為70年，比塑料管等代用管材更經濟。
瑞典
瑞典Karlskoga市經過10年試驗，球墨鑄鐵和PVC埋地供水主管道已經全部換成316不銹鋼管道。
英國
英國的醫院（蘇格蘭）過去採用的是銅水管，但蘇格蘭偏軟的水質導致銅水管的腐蝕和失效，政府花費了巨資研究失效的原因和解決方案，現已將冷熱水管道由原來的銅水管全部更換成不銹鋼水管和接頭。
馬來西亞
自1997年來馬來西亞水務當局與水工業各方合作，起草了供水系統使用不銹鋼焊管和不銹鋼管件的標准規范。2001年4月，馬來西亞水務當局正式頒布相關標准，規定與公共輸水主管道相連的水表前後的給水管道只允許使用奧氏體不銹鋼焊管。
新加坡
新加坡水務當局正准備將所管轄的給水管更換成不銹鋼管，目的是為21世紀的新加坡人民提供可持續的水資源，顯著改善水質，提高系統運行可靠性和大大降低運行成本。同時將採用數千噸的不銹鋼對現有的污水處理系統進行大規模的更換和改造。該項目將歷時20年耗資70億新元，並由此帶來高達幾十億新元的經濟效益和良好的社會效益。
其他國家
如加拿大、荷蘭等越來越多的國家要求飲用水系統的管道和系統部件必須採用304/304L、316/316L材質的不銹鋼，以此作為健康保證的基礎。
中國
國內薄壁不銹鋼水管是20世紀90年代末才問世的新型管材，由於其具有安全衛生、耐蝕性、堅固耐用、壽命長、免維護、美觀等特點，目前不銹鋼水管發展勢頭強勁，已大量應用建築給水、直飲水和太陽能系統管道。起初，還有部分工程項目設計銅管的，最後一個個改為薄壁不銹鋼管。現在，銅管已逐漸退出市場，除了民用家裝市場之外，酒店、會館、樓盤、醫院、學校、已經基本普及設計和應用薄壁不銹鋼水管。

8. 哪本書可以看晶體二極體的發展歷史

還沒有一本完整的晶體二極體發展歷史完整書籍，因為時間跨度太大，只能從以下介紹分別了專解。
早在第一次世屬界大戰末期已出現晶體檢波器。
1930年，半導體整流器投入市場。
1949年W.B.肖克萊建立了PN結理論，為半導體器件奠定了科學基礎。
此後隨著半導體材料和工藝技術的發展，利用不同的半導體材料、摻雜分布、幾何結構，研製出結構種類繁多、功能用途各異的多種晶體二極體。製造材料有鍺、硅及化合物半導體。
晶體二極體可用來產生、控制、接收、變換、放大信號和進行能量轉換等。供參考。

9. 半導體的發展歷程

1947年，美國貝爾實驗室發明了半導體點接觸式晶體管，從而開創了人類的硅文明時代。
1956年，我國提出「向科學進軍」，根據國外發展電子器件的進程，提出了中國也要研究半導體科學，把半導體技術列為國家四大緊急措施之一。中國科學院應用物理所首先舉辦了半導體器件短期培訓班。請回國的半導體專家黃昆、吳錫九、黃敞、林蘭英、王守武、成眾志等講授半導體理論、晶體管製造技術和半導體線路。在五所大學――北京大學、復旦大學、吉林大學、廈門大學和南京大學聯合在北京大學開辦了半導體物理專業，共同培養第一批半導體人才。培養出了第一批著名的教授：北京大學的黃昆、復旦大學的謝希德、吉林大學的高鼎三。1957年畢業的第一批研究生中有中國科學院院士王陽元（北京大學微電子所所長）、工程院院士許居衍（華晶集團中央研究院院長）和電子工業部總工程師俞忠鈺（北方華虹設計公司董事長）。
1957年，北京電子管廠通過還原氧化鍺，拉出了鍺單晶。中國科學院應用物理研究所和二機部十局第十一所開發鍺晶體管。當年，中國相繼研製出鍺點接觸二極體和三極體（即晶體管）。
1958年，美國德州儀器公司和仙童公司各自研製發明了半導體集成電路（IC）之後，發展極為迅猛，從SSI（小規模集成電路）起步，經過MSI（中規模集成電路），發展到LSI（大規模集成電路），然後發展到現在的VLSI（超大規模集成電路）及最近的ULSI（特大規模集成電路），甚至發展到將來的GSI（甚大規模集成電路），屆時單片集成電路集成度將超過10億個元件。
1959年，天津拉制出硅（Si）單晶。
1960年，中科院在北京建立半導體研究所，同年在河北建立工業性專業化研究所――第十三所（河北半導體研究所）。
1962年，天津拉制出砷化鎵單晶（GaAs），為研究制備其他化合物半導體打下了基礎。
1962年，我國研究製成硅外延工藝，並開始研究採用照相製版，光刻工藝。
1963年，河北省半導體研究所製成硅平面型晶體管。
1964年，河北省半導體研究所研製出硅外延平面型晶體管。
1965年12月，河北半導體研究所召開鑒定會，鑒定了第一批半導體管，並在國內首先鑒定了DTL型（二極體――晶體管邏輯）數字邏輯電路。1966年底，在工廠范圍內上海元件五廠鑒定了TTL電路產品。這些小規模雙極型數字集成電路主要以與非門為主，還有與非驅動器、與門、或非門、或門、以及與或非電路等。標志著中國已經製成了自己的小規模集成電路。
1968年，組建國營東光電工廠（878廠）、上海無線電十九廠，至1970年建成投產，形成中國IC產業中的「兩霸」。
1968年，上海無線電十四廠首家製成PMOS（P型金屬－氧化物半導體）電路（MOSIC）。拉開了我國發展MOS電路的序幕，並在七十年代初，永川半導體研究所（現電子第24所）、上無十四廠和北京878廠相繼研製成功NMOS電路。之後，又研製成CMOS電路。
七十年代初，IC價高利厚，需求巨大，引起了全國建設IC生產企業的熱潮，共有四十多家集成電路工廠建成，四機部所屬廠有749廠（永紅器材廠）、871（天光集成電路廠）、878（東光電工廠）、4433廠（風光電工廠）和4435廠（韶光電工廠）等。各省市所建廠主要有：上海元件五廠、上無七廠、上無十四廠、上無十九廠、蘇州半導體廠、常州半導體廠、北京半導體器件二廠、三廠、五廠、六廠、天津半導體（一）廠、航天部西安691廠等等。
1972年，中國第一塊PMOS型LSI電路在四川永川半導體研究所研製成功。

10. 電子管的發展歷史

1883年，發明大王托馬斯·愛迪生正在為尋找電燈泡最佳燈絲材料，曾做過一個小小的實驗。他在真空電燈泡內部碳絲附近安裝了一小截銅絲，希望銅絲能阻止碳絲蒸發。但是他失敗了，他無意中發現，沒有連接在電路里的銅絲，卻因接收到碳絲發射的熱電子產生了微弱的電流。當時愛迪生正潛心研究城市電力系統，沒重視這個現象。但他為這一發現申請了專利，並命名為「愛迪生效應」。
1904年，世界上第一隻電子二極體在英國物理學家弗萊明的手下誕生了，這使愛迪生效應具有了實用價值。弗萊明也為此獲得了這項發明的專利權。
1906年，美國發明家德福雷斯特（De Forest Lee），在二極體的燈絲和板極之間巧妙地加了一個柵板，從而發明了第一隻真空三極體．
1947年，美國物理學家肖克利、巴丁和布拉頓三人合作發明了晶體管——一種三個支點的半導體固體元件．
1904年，世界上第一隻電子管在英國物理學家弗萊明的手下誕生了。弗萊明為此獲得了這項發明的專利權。人類第一隻電子管的誕生，標志著世界從此進入了電子時代。世界上第一台計算機用1.8萬只電子管，佔地170m*2，重30t，耗電150kW。
說起電子管的發明，我們首先得從「愛迪生效應」談起。愛迪生這位舉世聞名的大發明家，在研究白熾燈的壽命時，在燈泡的碳絲附近焊上一小塊金屬片。結果，他發現了一個奇怪的現象：金屬片雖然沒有與燈絲接觸，但如果在它們之間加上電壓，燈絲就會產生一股電流，趨向附近的金屬片。這股神秘的電流是從哪裡來的？愛迪生也無法解釋，但他不失時機地將這一發明注冊了專利，並稱之為「愛迪生效應」。後來，有人證明電流的產生是因為熾熱的金屬能向周圍發射電子造成的。但最先預見到這一效應具有實用價值的，則是英國物理學家和電氣工程師弗萊明。
弗萊明的二極體是一項嶄新的發明．它在實驗室中工作得非常好．可是，不知為什麼，它在實際用於檢波器上卻很不成功，還不如同時發明的礦石檢波器可靠．因此，對當時無線電的發展沒有產生什麼沖擊．
此後不久，貧困潦倒的美國發明家德福雷斯特，在二極體的燈絲和板極之間巧妙地加了一個柵板，從而發明了第一隻真空三極體．這一小小的改動，竟帶來了意想不到的結果．它不僅反應更為靈敏、能夠發出音樂或聲音的振動，而且，集檢波、放大和振盪三種功能於一體．因此，許多人都將三極體的發明看作電子工業真正的誕生起點．德福雷斯特自己也非常驚喜，認為「我發現了一個看不見的空中帝國」．電子管的問世，推動了無線電電子學的蓬勃發展．到1960年前後，西方國家的無線電工業年產10億只無線電電子管．電子管除應用於電話放大器、海上和空中通訊外，也廣泛滲透到家庭娛樂領域，將新聞、教育節目、文藝和音樂播送到千家萬戶．就連飛機、雷達、火箭的發明和進一步發展，也有電子管的一臂之力．
三條腿的魔術師電子管在電子學研究中曾是得心應手的工具．電子管器件歷時40餘年一直在電子技術領域里占據統治地位．但是，不可否認，電子管十分笨重，能耗大、壽命短、雜訊大，製造工藝也十分復雜．因此，電子管問世不久，人們就在努力尋找新的電子器件．第二次世界大戰中，電子管的缺點更加暴露無遺．在雷達工作頻段上使用的普通的電子管，效果極不穩定．移動式的軍用器械和設備上使用的電子管更加笨拙，易出故障．因此，電子管本身固有的弱點和迫切的戰時需要，都促使許多科研單位和廣大科學家，集中精力，迅速研製成功能取代電子管的固體元器件．
電子管的替代產品叫晶體管。
隨著科技的發展，人們對生產的機械在體積上向體積越來越小的方向發展，由於電子管的體積大，而且在移動過程中容易損壞，越來越多的表現出其的弊端，於是人們開始尋找和開發電子管的可替代產品．隨著後來的晶體管的出現，已越來越多的機械不再使用電子管．晶體管的出現是人類在電子方面一個大的飛躍．
早在30年代，人們已經嘗試著製造固體電子元件．但是，當時人們多數是直接用模仿製造真空三極體的方法來製造固體三極體．因此這些嘗試毫無例外都失敗了．